中微半導體設備(上海)股份有限公司楊金全獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利一種限制環及其制作方法、以及等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551199B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011302303.0，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種限制環及其制作方法、以及等離子體處理裝置是由楊金全;傅時梁;王明明設計研發完成，并于2020-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種限制環及其制作方法、以及等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：本發明提供了一種限制環及其制作方法、以及等離子體處理裝置，通過在氣體通道內設置非縱向彎折部，增大了等離子體與氣體通道碰撞幾率，有效的將等離子體限制在處理區域內，大大減小了深寬比，從而降低了氣阻。
本發明授權一種限制環及其制作方法、以及等離子體處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種限制環，其用于等離子體處理裝置，設置于所述等離子體處理裝置的處理區域和排氣區域之間，其特征在于：包括： 環狀本體，所述環狀本體具有上表面和與上表面相對的下表面； 所述環狀本體包括至少一個氣體通道，所述氣體通道貫穿所述上表面和下表面；所述氣體通道包括位于上表面和下表面之間的至少一個非縱向彎折部； 所述氣體通道還包括：主通道、以及至少兩個與同一主通道相通的副通道； 其中，所述非縱向彎折部位于主通道和副通道的連接處； 所述限制環還包括間隔部；與同一主通道連通的副通道之間通過間隔部間隔開，所述間隔部在朝向所述主通道一側具有非縱向面； 所述主通道寬度等于所有副通道寬度之和； 位于所述非縱向彎折部的氣體通道與上表面或下表面的角度為大于等于0°小于90°。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區金橋出口加工區（南區）泰華路188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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