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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體存儲器件及工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110690193B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910939116.4，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權半導體存儲器件及工藝方法是由詹益旺;童宇誠;黃永泰;李武新;佘法爽設計研發完成，并于2019-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體存儲器件及工藝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體存儲器件，其位線為多層結構，包含下層導電材料、中層導電材料、上層導電材料以及頂層硬掩模層；所述下層導電材料與中層導電材料、上層導電材料依次疊加形成多層導電結構，在半導體襯底中還具有位線接觸凹槽，所述位線位于半導體襯底表面的絕緣夾層上，以及位線接觸凹糟中，所述位于絕緣夾層上的位線與絕緣夾層的橫向接觸面積大，位于位線接觸凹槽中的位線與位線接觸凹槽的底部橫向接觸面積小，提高了位線之間的橫向隔離效果，改善漏電。本發明制造工藝將不同位線的橫向接觸寬度的大小交替變化的剖面形貌通過刻蝕工藝一步完成，不增加額外的工藝步驟。

本發明授權半導體存儲器件及工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲器件，其特征在于：包括： 半導體襯底，在所述半導體襯底中具有器件隔離層，所述器件隔離層之間為隔離出的多個有源區；半導體襯底表面具有絕緣夾層； 在所述半導體襯底中，還包含有多個沿第一方向延伸且穿過有源區的字線，各條字線之間互相隔離； 多根位線，所述多根位線在半導體襯底中穿過有源區并沿第二方向延伸；所述第二方向與第一方向垂直； 所述的多個有源區呈條形且互相平行，并以第一方向或第二方向為延伸方向，或者是與第一方向及第二方向之間存在夾角； 所述半導體襯底表面還具有位線接觸凹槽，所述位線接觸凹槽是間隔排列，即位于半導體襯底表面的絕緣夾層上的位線與位于位線接觸凹槽中的位線為交替排列； 所述位線為多層結構，包含下層導電材料、中層導電材料、上層導電材料以及頂層硬掩模層；所述下層導電材料、中層導電材料、上層導電材料依次疊加形成復合層；所述下層導電材料依次交替接觸所述半導體襯底上的絕緣夾層，或者是位線接觸凹槽的底部；所述中層導電材料和所述上層導電材料分別包括金屬硅化物、金屬氮化物或者金屬中的一種； 所述絕緣夾層上的位線的下層導電材料與絕緣夾層的橫向接觸有第一寬度，而位于位線接觸凹槽中的位線的下層導電材料與位線接觸凹槽底部接觸的橫向接觸有第二寬度； 其中第一寬度與第二寬度不相等。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。