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龍圖騰網獲悉南昌大學申請的專利基于低損耗贗自旋極化拓撲邊界態的高性能硅基拓撲微腔獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120255073B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510758403.0，技術領域涉及：G02B6/122；該發明授權基于低損耗贗自旋極化拓撲邊界態的高性能硅基拓撲微腔是由鄧偉民;張亦豪;于天寶;萬里鵬設計研發完成，并于2025-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于低損耗贗自旋極化拓撲邊界態的高性能硅基拓撲微腔在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于低損耗贗自旋極化拓撲邊界態的高性能硅基拓撲微腔，包括第一種硅基自旋光子晶體平板（SPC1）和第二種硅基自旋光子晶體平板（SPC2）。SPC1具有拓撲非平庸的帶隙，SPC2具有拓撲平庸的帶隙，二者均由旋轉矩形硅棒及硅環串接形成的原胞構成，SPC2完全包覆SPC1構成微腔。本發明的拓撲微腔中的邊界態大部分位于光錐以下，大幅減少微腔輻射損耗。

本發明授權基于低損耗贗自旋極化拓撲邊界態的高性能硅基拓撲微腔在權利要求書中公布了：1.基于低損耗贗自旋極化拓撲邊界態的高性能硅基拓撲微腔，其特征在于，包括： 第一種硅基自旋光子晶體平板，具有拓撲非平庸的帶隙； 第二種硅基自旋光子晶體平板，具有拓撲平庸的帶隙； 背景材料； 其中： 所述第一種硅基自旋光子晶體平板位于微腔內部區域，所述第二種硅基自旋光子晶體平板完全包覆第一種硅基自旋光子晶體平板外表面，形成連續的拓撲邊界界面，二者之間的閉合邊界構成拓撲微腔； 所述第一種硅基自旋光子晶體平板和所述第二種硅基自旋光子晶體平板均由按晶格常數a周期性排列的多個原胞構成，相鄰兩個原胞的中心間距為晶格常數a； 所述原胞包含四個矩形硅棒和一個硅環，所述矩形硅棒通過硅環串接成xy截面為正方形的整體結構； 背景材料填充于硅基材料間隙中； 所述矩形硅棒的幾何參數滿足：長度L=0.4a，寬度w=0.25a； 所述硅環的幾何參數滿足：內半徑r1=0.1a，外半徑r2=0.25a； 所述第一種硅基自旋光子晶體平板的原胞中的左上角和右下角的矩形硅棒相對于各自硅棒中心旋轉θ1=45°，右上角和左下角的矩形硅棒相對于各自硅棒中心旋轉θ2=-45°； 所述第二種硅基自旋光子晶體平板的原胞中的左上角和右下角的矩形硅棒相對于各自硅棒中心旋轉θ3=-45°，右上角和左下角的矩形硅棒相對于各自硅棒中心旋轉θ4=45°。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南昌大學，其通訊地址為：330103 江西省南昌市紅谷灘新區學府大道999號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。