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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利通孔接觸電阻預(yù)測(cè)方法、電子設(shè)備和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120196908B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510677772.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F18/20；該發(fā)明授權(quán)通孔接觸電阻預(yù)測(cè)方法、電子設(shè)備和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)是由秦緒威;吳文豪;陳健;劉哲儒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本通孔接觸電阻預(yù)測(cè)方法、電子設(shè)備和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種通孔接觸電阻預(yù)測(cè)方法、電子設(shè)備和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：基于獲取的多片晶圓的歷史通孔接觸電阻量測(cè)數(shù)據(jù)與歷史后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)，構(gòu)建訓(xùn)練樣本集；采用訓(xùn)練樣本集對(duì)包括特征增強(qiáng)層的深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行訓(xùn)練，以得到對(duì)應(yīng)的通孔接觸電阻預(yù)測(cè)模型，特征增強(qiáng)層用于基于多頭注意力機(jī)制學(xué)習(xí)不同后段制程參數(shù)之間的交互特征并學(xué)習(xí)后段制程參數(shù)與通孔接觸電阻之間的跨層關(guān)聯(lián)性；將待檢測(cè)晶圓的當(dāng)前后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)輸入至通孔接觸電阻預(yù)測(cè)模型中，以獲取待檢測(cè)晶圓的通孔接觸電阻預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。本發(fā)明通過(guò)基于深度學(xué)習(xí)并結(jié)合注意力機(jī)制，可以實(shí)現(xiàn)通孔接觸電阻的實(shí)時(shí)準(zhǔn)確預(yù)測(cè)。

本發(fā)明授權(quán)通孔接觸電阻預(yù)測(cè)方法、電子設(shè)備和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種通孔接觸電阻預(yù)測(cè)方法，其特征在于，包括： 獲取多片晶圓的歷史通孔接觸電阻量測(cè)數(shù)據(jù)與歷史后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)； 基于所述多片晶圓的歷史通孔接觸電阻量測(cè)數(shù)據(jù)與歷史后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)，構(gòu)建訓(xùn)練樣本集，其中，所述訓(xùn)練樣本集中的每一例訓(xùn)練樣本均包括后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的通孔接觸電阻量測(cè)數(shù)據(jù)，且所述通孔接觸電阻量測(cè)數(shù)據(jù)為所述訓(xùn)練樣本的標(biāo)簽，每一例訓(xùn)練樣本中的后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)均包括各層通孔所對(duì)應(yīng)的多個(gè)后段制程參數(shù)的在線量測(cè)數(shù)據(jù)，每一例訓(xùn)練樣本中的通孔接觸電阻量測(cè)數(shù)據(jù)均包括各層通孔所對(duì)應(yīng)的接觸電阻； 采用所述訓(xùn)練樣本集對(duì)預(yù)先構(gòu)建的深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行訓(xùn)練，以得到對(duì)應(yīng)的通孔接觸電阻預(yù)測(cè)模型，其中，所述深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括特征增強(qiáng)層，所述特征增強(qiáng)層用于基于多頭注意力機(jī)制學(xué)習(xí)不同后段制程參數(shù)之間的交互特征并學(xué)習(xí)后段制程參數(shù)與通孔接觸電阻之間的跨層關(guān)聯(lián)性； 將待檢測(cè)晶圓的當(dāng)前后段制程在線量測(cè)數(shù)據(jù)輸入至所述通孔接觸電阻預(yù)測(cè)模型中，以獲取所述待檢測(cè)晶圓的通孔接觸電阻預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)； 所述后段制程參數(shù)包括通孔深度、通孔直徑、通孔底層金屬層厚度、通孔底層金屬層寬度、通孔頂層金屬層厚度和通孔頂層金屬層寬度。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。