材料科學姑蘇實驗室郭麗彬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉材料科學姑蘇實驗室申請的專利氧化鎵材料的外延生長方法及氧化鎵外延結構、紫外探測器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120174475B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510654031.7，技術領域涉及：C30B25/16；該發明授權氧化鎵材料的外延生長方法及氧化鎵外延結構、紫外探測器件是由郭麗彬;周大勇;李春紅;趙文超;祝曾偉設計研發完成，并于2025-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本氧化鎵材料的外延生長方法及氧化鎵外延結構、紫外探測器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種氧化鎵材料的外延生長方法及氧化鎵外延結構、紫外探測器件，氧化鎵材料的外延生長方法包括：提供襯底；在襯底上形成氮化鋁層；在氮化鋁層上外延生長至少一層復合界面層，復合界面層包括依次層疊的氧化鋁層和氧化銦層；在復合界面層上外延生長氧化鎵層。如此能夠降低氧化鎵層中的位錯密度和熱應力，提升氧化鎵外延結構的質量和性能。在將制得的氧化鎵外延結構應用于光電探測器件時，能夠顯著提高器件的性能和可靠性。
本發明授權氧化鎵材料的外延生長方法及氧化鎵外延結構、紫外探測器件在權利要求書中公布了：1.一種氧化鎵材料的外延生長方法，其特征在于，所述方法包括： 提供襯底； 在所述襯底上形成氮化鋁層； 在所述氮化鋁層上外延生長至少一層復合界面層，所述復合界面層包括依次層疊的氧化鋁層和氧化銦層；所述復合界面層的厚度為1nm~5nm；所述氧化鋁層的厚度為0.5nm~3nm；所述氧化銦層的厚度為0.5nm~2nm； 外延生長所述復合界面層包括：首先，通入第一鋁源和第一氧源，在溫度為600℃~800℃、壓力為20mbar~150mbar、所述第一鋁源的流量大于等于5sccm且小于等于20sccm、所述第一氧源的流量大于0sccm且小于等于100sccm的條件下，外延生長所述氧化鋁層；然后，通入銦源和第二氧源，在溫度為600℃~800℃、壓力為20mbar~150mbar、所述銦源的流量大于等于5sccm且小于等于20sccm、所述第二氧源的流量大于0sccm且小于等于100sccm的條件下，在所述氧化鋁上外延生長所述氧化銦層； 在所述復合界面層上外延生長氧化鎵層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人材料科學姑蘇實驗室，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區若水路388號F棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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