合肥晶合集成電路股份有限公司宋富冉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利嵌入式RRAM結構、阻變存儲器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120201728B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510631461.7，技術領域涉及：H10B63/00；該發明授權嵌入式RRAM結構、阻變存儲器及其制備方法是由宋富冉;周儒領設計研發完成，并于2025-05-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本嵌入式RRAM結構、阻變存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種嵌入式RRAM結構、阻變存儲器及其制備方法，屬于半導體領域，本發明通過改變阻變存儲單元的電極板方位，將電極板的板面方向以垂直于半導體襯底面板方向嵌入到其中一層金屬層中，然后在兩個電極板之間插入阻變層制得阻變存儲單元，并以此作為基礎制備阻變存儲器；改變了現有技術中阻變存儲單元的電極板分布方位，意想不到的是：避免了現有技術中插入阻變存儲單元后導致兩個金屬互聯層之間現有工藝制程被改變而需重新研發的情況，可以兼容現有技術中MOS制程，也使得阻變式阻變存儲器整體緊湊。經過仿真驗證，本發明可靠性、可操作性與晶圓厚度方向堆疊的常規技術方案效果沒有明顯差別，并且讀寫速度比同等條件下現有技術更快。
本發明授權嵌入式RRAM結構、阻變存儲器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種嵌入式RRAM結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供第一半導體結構，第一半導體結構上具有層間介質層； 在層間介質層上制備第一金屬互聯層，第一金屬互聯層包括第一金屬線路、第一電極板、第二電極板以及將三者隔離的第一金屬間電介質層； 在第一金屬互聯層上制備第一阻擋層； 采用蝕刻工藝打開兩個電極板之間的第一金屬間電介質層形成第一凹槽； 在第一凹槽內填充阻變材料； 采用平坦化工藝對阻變材料進行平坦化并停留在第一阻擋層上，形成阻變層； 在第一阻擋層上沉積第二金屬間電介質層； 在第二金屬間電介質層內制備第二金屬線路、第一極板引線、第二極板引線，形成第二金屬互聯層，完成嵌入式RRAM結構的制備。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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