杭州譜析光晶半導體科技有限公司許一力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種用于高性能MOSFET的雙柵結構及優化方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120091609B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510561275.0，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種用于高性能MOSFET的雙柵結構及優化方法是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于高性能MOSFET的雙柵結構及優化方法在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種用于高性能MOSFET的雙柵結構及優化方法，包括由若干個MOS元胞構成，單個所述MOS元胞包括有漏極、源極、柵極、柵氧化層以及半導體外延層；所述半導體外延層包括N襯底層、N擴散層、P?層、P阱層以及N阱層，單個所述MOS元胞內的柵極有兩個，并且分別位于柵氧化層內的左右兩側，所述柵氧化層的截面輪廓呈半圓形狀；所述柵氧化層的內部且位于兩個柵極之間設有多晶硅，所述多晶硅與源極歐姆接觸。本發明通過雙柵結構、幾何形狀優化、摻雜層設計及工藝創新，顯著提升了MOSFET的開關速度、耐壓能力、熱穩定性和集成度，同時降低了漏電流和導通電阻，適用于高性能功率器件與高頻應用場景。
本發明授權一種用于高性能MOSFET的雙柵結構及優化方法在權利要求書中公布了：1.一種用于MOSFET的雙柵結構，由若干個MOS元胞組成，單個所述MOS元胞包括有漏極1、源極2、柵極3、柵氧化層4以及半導體外延層；所述半導體外延層包括N襯底層5、N擴散層6、P-層7、P阱層8以及N阱層9，其特征在于：單個所述MOS元胞內的柵極3有兩個，并且分別位于柵氧化層4內的左右兩側； 所述柵氧化層4的截面輪廓呈半圓形狀；所述柵氧化層4的內部且位于兩個柵極3之間設有多晶硅10，所述多晶硅10與源極2歐姆接觸； 所述多晶硅10的截面深度是兩個柵極3截面深度的1.2-1.7倍； 所述多晶硅10還包括有側硅層101，所述側硅層101的截面輪廓呈底部粗頂部窄的形狀； 所述側硅層101的中間處填充有高阻摻雜層11，其中高阻摻雜層11將側硅層101分為左右兩個部分。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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