深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司陳華金獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司申請的專利一種WF工藝及其在DFN封裝中的應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120109031B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510551232.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/60;該發(fā)明授權(quán)一種WF工藝及其在DFN封裝中的應(yīng)用是由陳華金;肖培武;周欽;程晉利;覃霆宇設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-04-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種WF工藝及其在DFN封裝中的應(yīng)用在說明書摘要公布了:本發(fā)明屬于DFN封裝技術(shù)領(lǐng)域,提供一種WF工藝及其在DFN封裝中的應(yīng)用,WF工藝包括:在DFN封裝體的側(cè)面開設(shè)凹槽,使焊盤從底部延伸至側(cè)面;使用化學(xué)電鍍的方法,在DFN封裝體的側(cè)面的焊盤上形成鎳鍍層;對形成的鎳鍍層進(jìn)行質(zhì)量檢測。本發(fā)明通過WF工藝,可以顯著增強DFN封裝體的側(cè)面焊盤的焊接強度和可靠性,提高了封裝的整體性能和穩(wěn)定性;鎳鍍層的形成不僅增強了焊盤的耐腐蝕性和耐磨性,還提高了焊盤的導(dǎo)電性能,使得DFN封裝體在應(yīng)用中表現(xiàn)出更優(yōu)越的性能。
本發(fā)明授權(quán)一種WF工藝及其在DFN封裝中的應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了:1.一種WF工藝,其特征在于,包括: 步驟一:在DFN封裝體的側(cè)面開設(shè)凹槽,使焊盤從底部延伸至側(cè)面;凹槽的傾斜角度為30°-60°,深度為0.1—0.3mm;凹槽的橫截面為梯形或半圓形; 步驟二:使用化學(xué)電鍍的方法,在DFN封裝體的側(cè)面的焊盤上形成鎳鍍層;鎳鍍層的厚度為6-10μm;鎳鍍層經(jīng)108小時高溫蒸煮后厚度變化率≤2%;高溫的溫度區(qū)間范圍為120℃至122℃;鎳鍍層的焊錫覆蓋面積≥95%,氣孔率≤0.5%; 步驟三:對形成的鎳鍍層進(jìn)行質(zhì)量檢測;包括: 通過AOI檢測設(shè)備對DFN封裝體的側(cè)面的焊盤進(jìn)行光學(xué)檢測; 獲得DFN封裝體的側(cè)面的焊盤的焊接質(zhì)量評分,具體為: 基于多角度環(huán)形光源陣列分時照射DFN封裝體的側(cè)面的焊盤,獲取多角度圖像;采用環(huán)形LED陣列,分時觸發(fā)0°、30°、60°三個不同角度的光源,通過偏振片抑制鏡面反射; 對多角度圖像進(jìn)行小波變換融合,以保留高頻邊緣信息,生成高對比度融合圖像; 使用改進(jìn)的U-Net++網(wǎng)絡(luò)分割高對比度融合圖像中的焊盤區(qū)域,改進(jìn)的U-Net++網(wǎng)絡(luò)融合CBAM注意力模塊和形態(tài)學(xué)約束損失函數(shù);在U-Net++中嵌入CBAM注意力模塊;形態(tài)學(xué)約束損失函數(shù)具體為:在交叉熵?fù)p失中增加焊盤幾何形狀約束; 根據(jù)對分割后的高對比度融合圖像中的焊盤區(qū)域三維形貌重建結(jié)果,計算焊盤潤濕角和覆蓋率,并計算獲得焊接質(zhì)量評分,根據(jù)焊接質(zhì)量評分與焊接質(zhì)量評分閾值的比較結(jié)果,觸發(fā)自動返修或生產(chǎn)工藝優(yōu)化建議;具體為:投射格雷碼條紋至焊盤側(cè)面,通過相位解算獲取高度信息,結(jié)合AOI設(shè)備圖像生成三維點云;定義焊接質(zhì)量的評分的指標(biāo);指標(biāo)包括焊盤潤濕角、覆蓋率、粗糙度和偏移距離;其中,焊盤潤濕角反映焊料流動性,覆蓋率反映焊盤接觸面積比,粗糙度反映三維形貌標(biāo)準(zhǔn)差;偏移距離反映焊盤中心偏差;焊接質(zhì)量評分的計算公式為: 代表焊接質(zhì)量評分,、均表示全局平衡因子;表示潤濕性的權(quán)重,表示覆蓋率的權(quán)重,表示潤濕性的權(quán)重,表示覆蓋率的權(quán)重;代表焊盤潤濕角;代表覆蓋率;代表粗糙度;代表偏移距離;表示對進(jìn)行Sigmoid歸一化,用于評估焊盤的潤濕性;表示對進(jìn)行Sigmoid歸一化,用于評估焊接完整性;表示對進(jìn)行Sigmoid歸一化,用于評估焊盤表面均勻性;表示對進(jìn)行Sigmoid歸一化,用于評估對位精度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司,其通訊地址為:518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道發(fā)達(dá)路云里智能園7棟1樓01室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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