北京懷柔實(shí)驗室李翠獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京懷柔實(shí)驗室申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119965181B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510452949.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/48;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件是由李翠;金銳;和峰;葛念念;成薇葦;朱濤;聶瑞芬;李哲洋設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-04-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了:本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底;外延層;多個源區(qū);第一金屬層,第一金屬層的靠近襯底的部分表面與外延層的遠(yuǎn)離襯底的部分表面接觸;互聯(lián)金屬層;多個導(dǎo)熱層,導(dǎo)熱層位于第一金屬層的靠近或者遠(yuǎn)離襯底的一側(cè),或位于互聯(lián)金屬層中,導(dǎo)熱層的熱導(dǎo)率大于互聯(lián)金屬層的熱導(dǎo)率,在導(dǎo)熱層位于第一金屬層的遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)時,互聯(lián)金屬層位于導(dǎo)熱層的遠(yuǎn)離襯底的表面上和第一金屬層的遠(yuǎn)離襯底的部分表面上,在導(dǎo)熱層位于第一金屬層的靠近襯底的一側(cè),或者位于互聯(lián)金屬層中時,互聯(lián)金屬層位于第一金屬層的遠(yuǎn)離襯底的表面上。本申請解決了現(xiàn)有技術(shù)中芯片的熱量集中在源極接觸的位置導(dǎo)致瞬態(tài)溫升造成柵源短路失效的問題。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為MOSFET結(jié)構(gòu),所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括: 襯底; 外延層,位于所述襯底的表面上; 多個間隔設(shè)置的源區(qū),位于所述外延層中,所述源區(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面與所述外延層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面重疊; 第一金屬層,位于所述外延層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述第一金屬層的靠近所述襯底的部分表面與所述外延層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面接觸,所述第一金屬層的靠近所述襯底的部分表面與所述源區(qū)的部分表面接觸,所述第一金屬層作為所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的源極; 互聯(lián)金屬層; 多個間隔設(shè)置的導(dǎo)熱層,所述導(dǎo)熱層位于所述第一金屬層的遠(yuǎn)離或者靠近所述襯底的一側(cè),或者位于所述互聯(lián)金屬層中,所述導(dǎo)熱層的熱導(dǎo)率大于所述互聯(lián)金屬層的熱導(dǎo)率; 在所述導(dǎo)熱層位于所述第一金屬層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)的情況下,所述互聯(lián)金屬層位于所述導(dǎo)熱層的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上以及所述第一金屬層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面上,在所述導(dǎo)熱層位于所述第一金屬層的靠近所述襯底的一側(cè),或者位于所述互聯(lián)金屬層中的情況下,所述互聯(lián)金屬層位于所述第一金屬層的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上, 所述互聯(lián)金屬層的功函數(shù)與所述第一金屬層的功函數(shù)不同。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京懷柔實(shí)驗室,其通訊地址為:101400 北京市懷柔區(qū)楊雁東一路8號院5號樓319室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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