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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學(威海);威海焦爾電氣科技有限公司申請的專利一種芯片散熱結構的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119725102B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510228990.2，技術領域涉及：H01L21/50；該發明授權一種芯片散熱結構的制造方法是由馬駿馳;王華濤;許嘉偉;趙宇清;姜卓辰;樊鵬飛設計研發完成，并于2025-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種芯片散熱結構的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種芯片散熱結構的制造方法，屬于芯片冷卻裝置領域。首先，配置低粘度導熱樹脂并制備導熱絲，將導熱樹脂浸沒導熱絲，然后通過真空除泡、加熱固化等方法使混合物成型，再低溫切割成薄墊，表面絕緣處理，最后裝配，形成芯片散熱結構。本方法制備的芯片散熱結構具有熱阻小、絕緣、散熱佳的優點。

本發明授權一種芯片散熱結構的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種芯片散熱結構的制造方法，其特征在于，其制造步驟包括： S01，配置導熱樹脂：將粒徑為0.01-200μm導熱填料與膠粘劑混合，得到可流動導熱樹脂； S02，制備導熱絲：將導熱膜切割為寬度100-5000μm和長度0.1-1000mm的導熱絲，并鋪展于上端開口的容器內，并通過網狀結構，在豎直方向給予導熱絲小于1MPa壓力，將其壓緊； S03，制備導熱絲和導熱樹脂混合物：將S01步驟得到的導熱樹脂，傾倒于S02的容器中，浸沒導熱絲和網狀結構，得到導熱絲和導熱樹脂混合物； S04，真空除泡：持續壓緊S03得到的混合物，并在真空壓力低于-0.05MPa，時間0.5-24h的條件下，通過真空除泡的方式消除體系的氣泡； S05，固化：將S04得到的除泡后的導熱絲和導熱樹脂混合物，在溫度為25-200℃，固化時間為0.5-24h條件下固化，得到固態的混合物； S06，低溫切割：去除S05所得到的固態混合物表面的網狀結構，并將混合物降溫至零下80℃或以下，混合物硬度增加，再通過機械切割的方法，得到厚度為0.03-10mm的墊片； S07，表面絕緣處理：通過浸膠或者貼合工藝，在S06所得到的墊片的單側或者雙側制備一層粘性的絕緣層，再在雙側貼合離型膜，得到體積電阻率大于1.0×108Ω·cm的復合導熱墊； S08，裝配：將芯片安裝在電路板上，芯片上貼裝或不貼裝熱沉，并根據芯片或熱沉的尺寸，將復合導熱墊，剪切成對應形狀，揭掉絕緣層一側的離型膜，貼至芯片或熱沉表面，再揭掉另一側的離型膜，再裝配熱沉，并緊固，得到芯片散熱結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學(威海);威海焦爾電氣科技有限公司，其通訊地址為：264299 山東省威海市環翠區文化西路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。