河南大學羅彩勤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉河南大學申請的專利一種鉭摻雜二氧化鉿鐵電薄膜、其制備方法及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116445870B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310232577.4，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種鉭摻雜二氧化鉿鐵電薄膜、其制備方法及應用是由羅彩勤;張偉風;賈彩虹設計研發完成，并于2023-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鉭摻雜二氧化鉿鐵電薄膜、其制備方法及應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種鉭摻雜二氧化鉿鐵電薄膜、其制備方法及應用，將Ta金屬靶材與HfO2陶瓷靶材，利用多靶材共磁控濺射設備，通過控制濺射功率，獲得具有不同Ta摻雜比例的Ta:HfO2薄膜。另外，通過調節濺射功率與工作氣體Ar:O2比例，Ta:HfO2薄膜的剩余極化強度Pr可以達到100μCcm2，相比文獻中報道的數據提高了4?10倍。將其用于仿生物突觸器件中，通過控制功能層生長過程中的氧流量、調節突觸測試中電脈沖寬度、改變外接串聯電阻的阻值實現了突觸器件長時程增強與抑制的轉變調控。本發明拓寬了仿生突觸器件介質層材料的選擇范圍，且本發明提出的突觸器件結構制備工藝簡單、穩定，有利于工業中大規模生產。
本發明授權一種鉭摻雜二氧化鉿鐵電薄膜、其制備方法及應用在權利要求書中公布了：1.一種鉭摻雜二氧化鉿鐵電薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法具體包括如下步驟： （1）準備襯底，對其進行清洗干燥處理； （2）在襯底上濺射或者蒸鍍Ti層，再在Ti層上濺射或者蒸鍍Pt底電極； （3）采用共磁控濺射法在Pt底電極上制備Ta:HfO2：所用靶材為HfO2陶瓷靶與Ta金屬靶材；真空腔的背底真空＜10-4Pa，襯底加熱到500℃，工作氣氛為Ar與O2混合氣；HfO2陶瓷靶交流濺射功率70W，Ta金屬靶材直流濺射功率為6W，Ar氣流量為100sccm，O2流量為10sccm；開始共濺射，Ta:HfO2薄膜厚度由濺射時間決定；Ar氣與O2氣混合氣體工作壓強為1.0Pa，通過控制濺射時間獲得Ta:HfO2薄膜的厚度為20～100nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人河南大學，其通訊地址為：475001 河南省開封市明倫街85號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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