西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司梁鵬歡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司申請的專利用于硅片的外延生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115928205B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211616092.7，技術領域涉及：C30B25/18；該發明授權用于硅片的外延生長方法是由梁鵬歡;王力設計研發完成，并于2022-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于硅片的外延生長方法在說明書摘要公布了：本公開涉及用于硅片的外延生長方法，其包括：在反應腔室的基座的用于放置硅片的表面上形成多晶硅層；使硅片進入反應腔室以被置于基座的表面上并向反應腔室通入H2；使反應腔室的溫度達到第一預定溫度；在第一預定溫度下對硅片的表面進行H2烘烤持續第一預定時間；使反應腔室的溫度達到第二預定溫度；在第二預定溫度下向反應腔室通入HCl氣體持續第二預定時間；向反應腔室通入SiHCl3氣體以在硅片的表面上沉積成膜；以及對反應腔室進行H2吹掃并使硅片卸載退出反應腔室。通過該方法，可以改善外延硅片表面的霧狀缺陷。
本發明授權用于硅片的外延生長方法在權利要求書中公布了：1.一種用于硅片的外延生長方法，其特征在于，包括： 在反應腔室的基座的用于放置硅片的表面上形成多晶硅層； 使所述硅片進入所述反應腔室以被置于所述基座的所述表面上并向所述反應腔室通入H2； 使所述反應腔室的溫度達到第一預定溫度； 在所述第一預定溫度下對所述硅片的表面進行H2烘烤持續第一預定時間； 使所述反應腔室的溫度達到第二預定溫度； 在所述第二預定溫度下向所述反應腔室通入HCl氣體持續第二預定時間； 向所述反應腔室通入SiHCl3氣體以在所述硅片的表面上沉積成膜；以及 對所述反應腔室進行H2吹掃并使所述硅片卸載退出所述反應腔室， 所述外延生長方法還包括在所述使所述硅片進入所述反應腔室以被置于所述基座的所述表面上之前，將設置在所述基座的上側的用于加熱所述反應腔室的上燈模組的熱發射率控制成比設置在所述基座的下側的用于加熱所述反應腔室的下燈模組的熱發射率高。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司，其通訊地址為：710065 陜西省西安市高新區西灃南路1888號1-3-029室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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