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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司申請的專利一種堆疊扇出封裝結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975388B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210614785.6，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權一種堆疊扇出封裝結構及其形成方法是由徐成;孫鵬;曹立強設計研發完成，并于2022-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種堆疊扇出封裝結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種堆疊扇出封裝結構，包括：下封裝結構，其包括：第一互連結構，第一互連結構包括多個第一絕緣層和位于多個第一絕緣層中的多個第一金屬重布線層；第一凸點下金屬化層，其位于第一互連結構正面的第一金屬重布線層上；第二凸點下金屬化層，其位于第一互連結構的正面的第一金屬重布線層上。第一芯片，其布置在第一凸點下金屬化層上；底填膠，其布置在第一芯片與第一互連結構之間；散熱片，其貼裝在第一芯片的背面；第一焊球，其布置在第二凸點下金屬化層上；第一塑封層，其將第一互連結構的正面至散熱片的上表面之間塑封；第二焊球，其布置在第一互連結構背面；上封裝結構，其倒裝在下封裝結構上；以及第三塑封層。

本發明授權一種堆疊扇出封裝結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種堆疊扇出封裝結構，包括： 下封裝結構，其包括： 第一互連結構，所述第一互連結構包括多個第一絕緣層和位于多個第一絕緣層中的多個第一金屬重布線層； 第一凸點下金屬化層，其位于所述第一互連結構的正面的第一金屬重布線層上； 第二凸點下金屬化層，其位于所述第一互連結構的正面的第一金屬重布線層上； 第一芯片，其布置在所述第一凸點下金屬化層上； 底填膠，其布置在所述第一芯片與所述第一互連結構之間； 散熱片，其貼裝在所述第一芯片的背面； 第一焊球，其布置在第二凸點下金屬化層上； 第一塑封層，其將所述第一互連結構的正面至所述散熱片的上表面之間塑封； 第二焊球，其布置在所述第一互連結構的背面； 上封裝結構，其倒裝在所述下封裝結構上，所述上封裝結構包括： 第二互連結構，其具有第一面和與第一面相對的第二面，所述第二互連結構包括多個第二絕緣層和位于多個第二絕緣層中的多個第二金屬重布線層； 第二芯片，其布置在位于所述第二互連結構的第二面的第二金屬重布線層上； 第三凸點下金屬化層，其與位于所述第二互連結構的第一面的第二金屬重布線層電連接，并與所述散熱片以及所述第一焊球焊接； 第二塑封層，其將所述第二芯片塑封； 第三塑封層，其將所述第二互連結構的第一面至與所述第一塑封層之間塑封。

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