中國電子科技集團公司第十三研究所王元剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利一種正磨角氧化鎵肖特基二極管器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115083922B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210612243.5，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權一種正磨角氧化鎵肖特基二極管器件及其制備方法是由王元剛;呂元杰;敦少博;韓婷婷;劉宏宇;馮志紅設計研發完成，并于2022-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種正磨角氧化鎵肖特基二極管器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請適用于半導體器件制造技術領域，提供了一種正磨角氧化鎵肖特基二極管器件及其制備方法，該制備方法包括：在氧化鎵外延層上制備預設圖案的光刻膠層，部分氧化鎵外延層未被光刻膠層覆蓋；氧化鎵外延層形成于氧化鎵襯底的上表面；在氧化鎵外延層和光刻膠層上制備預設形狀的第一電極層；以水平面為基準，將氧化鎵襯底分別向兩個相反的方向旋轉第一傾斜角度和第二傾斜角度，對位于預設形狀的陽極金屬層覆蓋的氧化鎵外延層進行刻蝕，第一傾斜角度和第二傾斜角度均小于90°；在所述氧化鎵襯底下表面形成第二電極層。本申請能夠較容易氧化鎵肖特基正磨角終端結構，有效提升二極管器件耐壓性。
本發明授權一種正磨角氧化鎵肖特基二極管器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種正磨角氧化鎵肖特基二極管器件的制備方法，其特征在于，包括： 在氧化鎵外延層上制備預設圖案的光刻膠層，部分所述氧化鎵外延層未被所述光刻膠層覆蓋；所述氧化鎵外延層形成于氧化鎵襯底的上表面； 在所述氧化鎵外延層和所述光刻膠層上制備預設形狀的第一電極層； 以水平面為基準，將所述氧化鎵襯底分別向兩個相反的方向旋轉第一傾斜角度和第二傾斜角度，對位于所述預設形狀的第一電極層覆蓋的氧化鎵外延層進行刻蝕，在所述氧化鎵外延層上部形成有凸臺結構，所述凸臺結構的寬度從所述氧化鎵外延層到所述氧化鎵襯底方向逐漸減小；所述第一傾斜角度和所述第二傾斜角度均小于90°； 在所述氧化鎵襯底下表面形成第二電極層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第十三研究所，其通訊地址為：050051 河北省石家莊市合作路113號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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