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龍圖騰網獲悉無錫昌德微電子股份有限公司申請的專利一種抗沖擊性強的硅芯片結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883276B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210542380.6，技術領域涉及：H01L23/32；該發明授權一種抗沖擊性強的硅芯片結構是由黃昌民;張志奇;何飛;黃國榮設計研發完成，并于2022-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抗沖擊性強的硅芯片結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種抗沖擊性強的硅芯片結構，涉及硅芯片技術領域。本發明包括搭載護殼結構、多段抗沖擊保護結構和硅芯片主體，搭載護殼結構的內側通過螺釘固定連接有硅芯片主體，搭載護殼結構的頂端固定連接有多段抗沖擊保護結構，搭載護殼結構包括搭載保護底殼、預留卸力搭載孔、通槽和配裝階。本發明通過搭載護殼結構和多段抗沖擊保護結構的配合設計，使得裝置便于對硅芯片主體進行配裝固定后，形成抗沖擊的保護，大大提高了應用的穩定性，且通過第一抗沖擊凸梁、第二抗沖擊凸梁和卸力抗沖擊保護支架模塊的配合設計，使得裝置便于形成對硅芯片主體多段不同的抗沖擊保護效果，避免了沖擊壓力對硅芯片主體造成沖擊傷害。

本發明授權一種抗沖擊性強的硅芯片結構在權利要求書中公布了：1.一種抗沖擊性強的硅芯片結構，其特征在于：包括搭載護殼結構（1）、多段抗沖擊保護結構（2）和硅芯片主體（3），所述搭載護殼結構（1）的內側通過螺釘固定連接有硅芯片主體（3），所述搭載護殼結構（1）的頂端固定連接有多段抗沖擊保護結構（2）； 所述搭載護殼結構（1）包括搭載保護底殼（4）、預留卸力搭載孔（5）、通槽（6）和配裝階（7），所述搭載保護底殼（4）四端的內側開設有預留卸力搭載孔（5），所述搭載保護底殼（4）的內側設置有配裝階（7），所述配裝階（7）的內側開設有通槽（6），所述配裝階（7）與多段抗沖擊保護結構（2）卡接，所述多段抗沖擊保護結構（2）的底端通過通槽（6）與電路板連接； 所述多段抗沖擊保護結構（2）包括卸力抗沖擊保護支架模塊（8）、接觸防護頂蓋（9）、散熱槽（10）、第一抗沖擊凸梁（11）和第二抗沖擊凸梁（12），所述預留卸力搭載孔（5）的內側固定連接有卸力抗沖擊保護支架模塊（8），所述卸力抗沖擊保護支架模塊（8）的頂端固定連接有接觸防護頂蓋（9），所述接觸防護頂蓋（9）的內側開設有多個散熱槽（10），所述接觸防護頂蓋（9）的頂端固定連接有第一抗沖擊凸梁（11）和第二抗沖擊凸梁（12），所述第一抗沖擊凸梁（11）與第二抗沖擊凸梁（12）交叉固定，所述散熱槽（10）用于形成氣流流通，用于保護多段抗沖擊保護結構（2）的同時形成換氣冷卻。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫昌德微電子股份有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市新華路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。