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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于六方氮化硼的氮化鎵外延層生長(zhǎng)與剝離方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115132569B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210537031.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種基于六方氮化硼的氮化鎵外延層生長(zhǎng)與剝離方法是由耿龍飛;王浩林;張紫璇;劉政;岳文凱;楊波;李培咸設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-17向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于六方氮化硼的氮化鎵外延層生長(zhǎng)與剝離方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供的一種基于六方氮化硼的氮化鎵外延層生長(zhǎng)與剝離方法，利用有機(jī)溶劑較強(qiáng)的表面張力，借助超聲條件破壞六方氮化硼層與層之間的范德華力，再采用膠帶機(jī)械剝離而達(dá)到剝離氮化鎵的目的。相較于現(xiàn)有技術(shù)采用激光剝離、化學(xué)剝離和磨削襯底等方式，本發(fā)明不需要特別的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和化學(xué)處理，簡(jiǎn)單易行，成本低，耗時(shí)短，減少剝離過程對(duì)外延層薄膜的損傷，且襯底可以多次循環(huán)利用。本發(fā)明可以應(yīng)用于半導(dǎo)體器件剝離轉(zhuǎn)移，能夠解除襯底限制，進(jìn)一步提高器件的性能和可靠性；并且在外延氮化鎵之前，通過高溫?zé)嵬嘶疬^程提高氮化鋁層的結(jié)晶質(zhì)量，后續(xù)可以獲得高質(zhì)量的氮化鎵薄膜。

本發(fā)明授權(quán)一種基于六方氮化硼的氮化鎵外延層生長(zhǎng)與剝離方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于六方氮化硼的氮化鎵外延層生長(zhǎng)與剝離方法，其特征在于，包括： 步驟1：獲取銅箔； 步驟2：對(duì)銅箔進(jìn)行清洗和熱處理； 步驟3：在熱處理之后的銅箔生長(zhǎng)六方氮化硼； 步驟4：將生長(zhǎng)的六方氮化硼轉(zhuǎn)移至獲得的襯底上； 步驟5：在轉(zhuǎn)移至襯底的六方氮化硼之上，磁控濺射氮化鋁層； 步驟6：對(duì)濺射完氮化鋁層所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行高溫?zé)嵬嘶鹛幚恚?步驟7：在高溫?zé)嵬嘶鹛幚砗蟮牡X層之上使用MOCVD外延生長(zhǎng)氮化鎵層； 步驟8：利用有機(jī)溶液輔助機(jī)械剝離氮化鎵層；所述步驟8包括： 步驟81：將生長(zhǎng)完氮化鎵層所形成的四層結(jié)構(gòu)浸泡在有機(jī)溶液中，在超聲儀中超聲處理1-12h，取出后用乙醇和去離子水沖洗干凈； 步驟82：將膠帶緩慢地粘在氮化鎵層表面，均勻按壓后，將粘住氮化鎵層的膠帶緩慢地剝離； 步驟83：將膠帶緊緊貼于目標(biāo)襯底上，進(jìn)行一些處理過程使得膠帶與氮化鎵層分開； 步驟84：將膠帶移除后，完成氮化鎵剝離與轉(zhuǎn)移過程。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學(xué)，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。