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龍圖騰網獲悉中北大學申請的專利單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114804008B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210525264.3，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構及制備方法是由王任鑫;張文棟;李照東;張國軍;穆罕默德·伊爾馬茲;埃漢·博茲庫爾特;張賽;楊玉華;何常德;崔建功設計研發完成，并于2022-05-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構及制備方法在說明書摘要公布了：本發明為一種單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構，屬于超聲換能器技術領域。本發明包括自上而下疊層設置的振膜層、環狀支撐壁層和襯底層，振膜層形成有若干個呈陣列排布的振膜，振膜層和襯底層之間的環狀支撐壁層上形成有若干個呈陣列排布的空腔，空腔與振膜相互對應；振膜上均布設置有若干通孔，襯底層的頂面上形成有延伸孔；振膜層、通孔、襯底層、延伸孔上均形成有絕緣層；振膜層上設置有上電極層，襯底層底面設置有下電極層。本發明電容式聲傳感器結構整體尺寸小，便于后續的封裝和使用；本發明電容式聲傳感器結構制備方法簡單，整體工藝流程少，制造成本低，便于后續的批量生產。

本發明授權單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構，其特征在于：包括自上而下疊層設置的振膜層、環狀支撐壁層和襯底層，振膜層形成有若干個呈陣列排布的振膜，振膜層和襯底層之間的環狀支撐壁層上形成有若干個呈陣列排布的空腔，空腔與振膜相互對應；每個空腔頂部的振膜上均布設置有若干通孔，每個空腔底部的襯底層上均布設置有若干延伸孔，并且頂部的若干通孔與底部的若干延伸孔上下一一對應；振膜層的頂面及底面、通孔的孔壁、襯底層的頂面、延伸孔的孔壁及孔底上均形成有絕緣層；振膜層頂面的絕緣層上設置有上電極層，上電極層的邊緣處向外延設形成有焊點，襯底層的底面上設置有下電極層，延伸孔孔底的絕緣層上設置有金屬層； 上述單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構的制備方法，包括如下步驟： 1）選用SOI晶圓片作為備片，SOI晶圓片自上而下依次為：device層、oxide層和handle層；其中，device層作為振膜層所在層、oxide層作為環狀支撐壁層所在層、handle層作為襯底層所在層； 2）在SOI晶圓片的device層上璇涂一層光刻膠，利用光刻技術將掩膜版圖形轉移到光刻膠上，以光刻膠圖形做掩膜，采用離子束刻蝕技術對device層、oxide層和handle層的無掩膜區域進行刻蝕，最終在device層上形成通孔、在handle層上形成延伸孔； 3）通過device層上的通孔采用HF干法刻蝕技術對oxide層進行刻蝕，最終在oxide層上釋放形成若干個空腔，oxide層剩余部分形成環狀支撐壁層，每個空腔頂部的device層形成振膜層，空腔底部的handle層形成襯底層； 4）在device層的頂面及底面、通孔的孔壁、handle層的頂面、延伸孔的孔壁及孔底上均沉積形成絕緣層； 5）在device層頂面的絕緣層上濺射金屬鋁形成上電極層及焊點，延伸孔孔底的絕緣層上濺射金屬鋁形成金屬層； 6）在handle層的底面上濺射金屬鋁形成下電極層，濺射金屬鋁形成下電極層后，再進行高溫退火處理； 7）將SOI晶圓片進行劃片，最終得到所述的單晶硅振膜的MEMS電容式聲傳感器結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中北大學，其通訊地址為：030051 山西省太原市尖草坪區學院路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。