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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學(xué)申請的專利導(dǎo)通電流可編程的二極管器件及其陣列制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115275000B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202210495945.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/00；該發(fā)明授權(quán)導(dǎo)通電流可編程的二極管器件及其陣列制備方法是由趙毅;丁響設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-08向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本導(dǎo)通電流可編程的二極管器件及其陣列制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種導(dǎo)通電流可編程的二極管器件，包括金屬結(jié)構(gòu)、阻變結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有超高的自整流比和穩(wěn)定的單極型阻變特性。半導(dǎo)體的態(tài)密度函數(shù)需包含至少一個(gè)峰，其位置在禁帶附近，在其界面處能夠形成肖特基勢壘，使器件表現(xiàn)二極管特性，從而有效抑制陣列中旁路漏電流干擾。阻變結(jié)構(gòu)具有單向阻變能力，能夠在電流導(dǎo)通方向進(jìn)行擦寫操作，一方面避免了無法通過反向電壓進(jìn)行擦寫操作的問題，另一方面避免了對勢壘施加反向電壓，提高了自整流效應(yīng)的可靠性。本發(fā)明基于上述結(jié)構(gòu)提出了兩種可直接在半導(dǎo)體上制備陣列的方法和一種3D陣列集成的制備方法，且無需外加選通管。本發(fā)明具有集成度高、抗干擾能力強(qiáng)、CMOS兼容性高等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)導(dǎo)通電流可編程的二極管器件及其陣列制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種二極管器件構(gòu)成的3D存儲(chǔ)器陣列的制備方法，其特征在于，所述二極管器件包括金屬結(jié)構(gòu)、阻變結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；所述阻變結(jié)構(gòu)的電阻能夠調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電流可編程；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由半導(dǎo)體組成，半導(dǎo)體的態(tài)密度函數(shù)包含至少一個(gè)峰，使得峰能級(jí)附近的態(tài)密度遠(yuǎn)大于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)除峰之外的能級(jí)的態(tài)密度；所述金屬結(jié)構(gòu)、所述阻變結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)依次直接相連；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)采用Ge，該方法包括以下步驟： S1：在半導(dǎo)體硅襯底上生長Ge的應(yīng)力緩沖層，再依次循環(huán)生長SiGe、重?fù)诫sGe，最頂層為SiGe；重?fù)诫sGe作為位線；循環(huán)次數(shù)大于等于2次； S2：在S1得到的結(jié)構(gòu)上選擇性刻蝕SiGe，并填充隔離層； S3：在S2得到的結(jié)構(gòu)上選擇性刻蝕重?fù)诫sGe，填充輕摻雜Ge； S4：在S3得到的結(jié)構(gòu)上生長阻變結(jié)構(gòu)和保護(hù)層； S5：在S4得到的結(jié)構(gòu)上的器件區(qū)選擇性刻蝕保護(hù)層，并生長金屬結(jié)構(gòu)，形成字線；在每條位線的同一端生長金屬，形成位線的引出電極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江大學(xué)，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。