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龍圖騰網獲悉無錫中微高科電子有限公司申請的專利一種三維扇出型封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649292B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210241143.6，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權一種三維扇出型封裝結構及其制作方法是由戴飛虎;王成遷;段鵬超;楊誠;高艷設計研發完成，并于2022-03-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種三維扇出型封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及集成電路封裝技術領域，具體公開了一種三維扇出型封裝結構，其中，包括：無源載板，其設置多個金屬填充盲孔，正面形成有第一再布線金屬層和第一再布線鈍化層；第一再布線鈍化層上通過垂直引線焊盤和垂直引線連接第一芯片塑封結構，第一芯片塑封結構上形成有第二再布線金屬層和第二再布線鈍化層，第二再布線鈍化層上形成有第二芯片塑封結構；無源載板的背面形成背面凹槽，無源載板的背面除去背面凹槽的底壁位置處均設置背面鈍化層，一部分背面凹槽內形成金屬凸點，另一部分背面凹槽連接第三芯片結構。本發明還公開了一種三維扇出型封裝結構的制作方法。本發明提供的三維扇出型封裝結構有效解決了翹曲和散熱問題。

本發明授權一種三維扇出型封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種三維扇出型封裝結構的制作方法，包括三維扇出型封裝結構，其特征在于，所述三維扇出型封裝結構包括： 無源載板，所述無源載板內設置多個金屬填充盲孔； 所述無源載板的正面形成有第一再布線金屬層和第一再布線鈍化層，所述第一再布線金屬層和所述第一再布線鈍化層均與所述金屬填充盲孔接觸； 所述第一再布線鈍化層上通過垂直引線焊盤和垂直引線連接第一芯片塑封結構，所述第一芯片塑封結構上形成有第二再布線金屬層和第二再布線鈍化層，所述第二再布線鈍化層上形成有與所述垂直引線連接的第二芯片塑封結構； 所述無源載板的背面形成與所述金屬填充盲孔位置對應的背面凹槽，所述無源載板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置處均設置背面鈍化層，一部分所述背面凹槽內形成金屬凸點，另一部分所述背面凹槽連接第三芯片結構； 所述一種三維扇出型封裝結構的制作方法包括以下步驟： 提供無源載板，所述無源載板內設置多個金屬填充盲孔； 在所述無源載板的正面進行n層再布線，得到第一再布線金屬層和第一再布線鈍化層，其中所述第一再布線金屬層和所述第一再布線鈍化層均與所述金屬填充盲孔接觸； 在所述第一再布線鈍化層上制作垂直引線焊盤； 將第一芯片倒裝在位于中間區域的所述垂直引線焊盤上； 在位于邊緣區域的所述垂直引線焊盤上制作垂直引線； 制作第一塑封層，將所述垂直引線和所述第一芯片進行包封； 在所述第一塑封層上進行n層再布線，得到第二再布線金屬層和第二再布線鈍化層，其中所述第二再布線鈍化層位于所述垂直引線的正上方，且與所述垂直引線連接； 將第二芯片倒裝在所述第一塑封層的上方，且所述第二芯片的凸點與所述第二再布線鈍化層連接； 在所述第二再布線金屬層上形成第二塑封層，所述第二塑封層包封所述第一塑封層的側壁以及所述第二芯片； 在所述無源載板的背面形成與所述金屬填充盲孔位置對應的背面凹槽，且露出所述金屬填充盲孔中的填充金屬； 在所述無源載板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置處制作背面鈍化層； 在一部分所述背面凹槽內形成金屬凸點，在另一部分所述背面凹槽內倒裝第三芯片結構。

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