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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利處理被加工物的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695109B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210338506.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權(quán)處理被加工物的方法是由后平拓;工藤仁設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-01-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本處理被加工物的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種處理被加工物的方法，該方法包括：蝕刻步驟，其包括通過生成包含碳氟化合物氣體和或氫氟烴氣體的處理氣體的等離子體，來在低溫下對載置在載置臺上的被加工物的蝕刻對象膜進(jìn)行蝕刻的主蝕刻；在蝕刻步驟剛執(zhí)行后或主蝕刻剛執(zhí)行后，使靜電吸盤的溫度上升的步驟；和在將靜電吸盤的溫度設(shè)定為高的溫度的狀態(tài)下將被加工物從腔室搬出的步驟。由此，能夠在等離子體蝕刻結(jié)束后至被加工物從腔室搬出之前，將被加工物上的沉積物除去或使其量減少。

本發(fā)明授權(quán)處理被加工物的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用等離子體處理裝置來處理被加工物的方法，其特征在于： 所述等離子體處理裝置包括： 提供腔室的腔室主體； 載置臺，其設(shè)置在所述腔室內(nèi)，且具有用于保持載置在所述載置臺上的被加工物的靜電吸盤；和 調(diào)節(jié)所述靜電吸盤的溫度的溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)， 所述處理被加工物的方法包括： 通過在所述腔室內(nèi)生成包含碳氟化合物氣體和或氫氟烴氣體的處理氣體的等離子體，來對載置在所述靜電吸盤上的被加工物的蝕刻對象膜進(jìn)行蝕刻的步驟，其中，該步驟包含在利用所述溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)將所述靜電吸盤的溫度設(shè)定為-30℃以下的狀態(tài)下蝕刻所述蝕刻對象膜的主蝕刻，和在執(zhí)行了所述主蝕刻之后進(jìn)一步對所述蝕刻對象膜進(jìn)行蝕刻的過蝕刻；以及 在所述被加工物被載置在所述靜電吸盤上的狀態(tài)下，利用所述溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)使所述靜電吸盤的溫度上升，來減少形成在所述被加工物上的包含碳和氟的沉積物的步驟， 使所述靜電吸盤的溫度上升的步驟，在所述主蝕刻與所述過蝕刻之間執(zhí)行，以使得所述靜電吸盤的溫度高于-30℃且低于0℃，或者，在所述過蝕刻的執(zhí)行期間和所述過蝕刻執(zhí)行之后的期間中的至少一個期間執(zhí)行，以使得所述靜電吸盤的溫度為0℃以上。

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