新唐科技日本株式會社高山徹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉新唐科技日本株式會社申請的專利氮化物系發光裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118970619B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411048628.9，技術領域涉及：H01S5/024；該發明授權氮化物系發光裝置是由高山徹;西川透;中谷東吾;左文字克哉;狩野隆司;植田慎治設計研發完成，并于2018-04-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本氮化物系發光裝置在說明書摘要公布了：氮化物系發光裝置半導體激光裝置51a具備：氮化物系半導體發光元件半導體激光元件11，其在AlxGa1?xN0≤x≤1基板GaN基板101上具有從AlxGa1?xN基板側依次層疊了第一包層103、第一光導層105、量子阱活性層106、第二光導層107及第二包層109的多層構造；以及底座基板122，其用于安裝氮化物系半導體發光元件，氮化物系半導體發光元件安裝于底座基板122使得多層構造與底座基板122對置，底座基板122由金剛石形成，在氮化物系半導體發光元件中，在AlxGa1?xN基板側形成有凹型的翹曲。
本發明授權氮化物系發光裝置在權利要求書中公布了：1.一種氮化物系發光裝置，具備： 氮化物系半導體發光元件，其具有配置在GaN基板上的多層構造； 底座基板，其用于安裝所述氮化物系半導體發光元件；以及 接合層，其用于將所述氮化物系半導體發光元件和所述底座基板接合， 所述多層構造具有從所述GaN基板側依次層疊的第一導電型的第一包層、第一光導層、量子阱活性層、第二光導層及第二導電型的第二包層， 所述多層構造相對于所述GaN基板具有5.2×10-4以下的拉伸性或壓縮性的平均形變， 所述氮化物系半導體發光元件安裝于所述底座基板使得所述多層構造與所述底座基板對置， 所述氮化物系半導體發光元件具有配置在所述多層構造與所述底座基板之間的電極， 所述氮化物系半導體發光元件的出射側端面以從所述底座基板的側壁突出的狀態安裝于所述底座基板， 所述底座基板平坦且由金剛石形成， 所述第一光導層及所述第二光導層中的至少一方包括In， 所述底座基板的所述側壁具有相對于所述底座基板的主面的法線方向傾斜的傾斜部。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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