買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110224018B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201810488000.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/13；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由鄭宇彣;盧煒業(yè);王毓萱;李弘貿(mào);蔡彥明;陳泓旭;林威戎;張志維;蔡明興;林圣軒;鄭雅憶;林正堂設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-05-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明實施例公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。在一實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括具有源極漏極區(qū)的主動區(qū)于基板上；介電層，位于主動區(qū)上并具有對準源極漏極區(qū)的側(cè)壁的側(cè)壁；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，沿著介電層的側(cè)壁至源極漏極區(qū)。源極漏極區(qū)具有側(cè)壁與自源極漏極區(qū)的側(cè)壁橫向延伸的橫向表面，且源極漏極區(qū)還包含自源極漏極區(qū)的側(cè)壁橫向延伸至源極漏極區(qū)中的氮化區(qū)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含沿著源極漏極區(qū)的橫向表面并沿著源極漏極區(qū)的側(cè)壁的至少一部分的硅化物區(qū)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括： 形成一源極漏極區(qū)于一基板上的一主動區(qū)中； 形成一介電層于該主動區(qū)上； 形成一開口穿過該介電層，該開口延伸至該源極漏極區(qū)中以形成一溝槽于該源極漏極區(qū)中，且一下表面與一側(cè)壁至少部分地定義該溝槽； 形成一硅化物區(qū)于該溝槽的該下表面； 經(jīng)由該溝槽的該側(cè)壁氮化該源極漏極區(qū)的至少一部分；以及 將導(dǎo)電材料填入該開口。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。