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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利一種交變電場結合超聲制備硅納米結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300353B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111668040.X，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權一種交變電場結合超聲制備硅納米結構的方法是由巢炎;黃偉業;李彬設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種交變電場結合超聲制備硅納米結構的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種交變電場結合超聲制備硅納米結構的方法；通過兩對超聲發生器在反應釜內形成了駐波場，使得帶電金屬粒子在駐波場中停滯在各個駐波節點上；通過在兩個石墨電極中通入交變電流，使反應釜中產生交變電場，使得帶電金屬粒子沿交變電場力的方向帶動腐蝕液中的酸與硅片發生刻蝕反應；通過改變超聲波的頻率和幅值改變駐波場中駐波節點的位置，從而改變帶電金屬粒子催化刻蝕反應的位置；通過改變交變電流的頻率與幅值，改變硅片表面微結構的腐蝕深度；通過改變交變電場力的方向，改變硅片表面微結構的傾斜度。本發明通過調節超聲波和交變電流的頻率和幅值，能實現按預設圖案對硅片表面進行刻蝕；提高了硅片的刻蝕效率和精確度。

本發明授權一種交變電場結合超聲制備硅納米結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種交變電場結合超聲制備硅納米結構的方法，其特征在于：具體如下： 步驟一、在反應釜底部的凹槽一和反應釜兩側的兩個凹槽二內均裝配一個超聲發生器，將待加工硅片卡在三個超聲發生器上；將腐蝕液注入反應釜中，在反應釜的端蓋底部的凹槽一內裝配一個超聲發生器，將反應釜的端蓋蓋在反應釜上，并使端蓋上的超聲發生器也卡住硅片；反應釜底部的超聲發生器和端蓋底部的超聲發生器為一對，反應釜兩側的兩個超聲發生器為一對；然后，將兩個石墨電極置于腐蝕液中，并與交變電源連接；最后，打開兩對超聲發生器，調節兩對超聲發生器的頻率和幅值，使兩對超聲發生器發出的超聲波在硅片表面形成駐波場，駐波場的各駐波節點均位于與預設硅納米結構形狀和位置一致的圖案上；駐波場使得腐蝕液中的帶電金屬粒子停滯在駐波場中的各個駐波節點上； 步驟二、交變電源向兩個石墨電極通電，使得兩個石墨電極之間產生交變電場；腐蝕液中停滯在駐波節點上的帶電金屬粒子受交變電場力影響，沿交變電場力的方向運動，并與硅片產生撞擊，而團聚在帶電金屬粒子周圍的腐蝕液中的酸在帶電金屬粒子帶動下與硅片表面反應；帶電金屬粒子與硅片撞擊后反彈，反彈后的帶電金屬粒子又重新回到各個駐波節點上，并受到交變電場力的影響，再次與硅片產生撞擊；經過預設時間后，在硅片表面形成一部分預設硅納米結構； 步驟三、交變電源停止向兩個石墨電極通電，改變兩對超聲發生器的頻率和幅值，使硅片表面駐波場中的駐波節點沿與預設硅納米結構形狀和位置一致的圖案移動至下一處未形成預設硅納米結構的位置，帶電金屬粒子也跟隨駐波節點一起運動；然后，重復步驟二，在硅片表面形成下一部分預設硅納米結構； 步驟四、重復步驟三，逐漸在硅片表面刻蝕出整個硅納米結構。

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