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      無錫中微億芯有限公司曹正州獲國(guó)家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫中微億芯有限公司申請(qǐng)的專利flash型FPGA的本征態(tài)電流控制電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114285406B

      龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111582300.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H03K19/1778;該發(fā)明授權(quán)flash型FPGA的本征態(tài)電流控制電路是由曹正州;單悅爾;季振凱;祝潔;孫佩;胡恩澤設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

      flash型FPGA的本征態(tài)電流控制電路在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種flash型FPGA的本征態(tài)電流控制電路,涉及flash型FPGA領(lǐng)域,該本征態(tài)電流控制電路包括導(dǎo)通開關(guān)管和利用p_flash開關(guān)單元的本征弱導(dǎo)通狀態(tài)設(shè)計(jì)的開關(guān)管控制邏輯,導(dǎo)通開關(guān)管連接在flash型FPGA的內(nèi)核地與芯片地之間,在flash型FPGA的第一次上電過程中,開關(guān)管控制邏輯在p_flash開關(guān)單元的內(nèi)部殘留電荷作用下、輸出無效電平使導(dǎo)通開關(guān)管關(guān)斷,使得內(nèi)核地處于浮空狀態(tài),阻止內(nèi)核電源到內(nèi)核地產(chǎn)生大電流。

      本發(fā)明授權(quán)flash型FPGA的本征態(tài)電流控制電路在權(quán)利要求書中公布了:1.一種flash型FPGA的本征態(tài)電流控制電路,其特征在于,所述本征態(tài)電流控制電路包括導(dǎo)通開關(guān)管和開關(guān)管控制邏輯,所述導(dǎo)通開關(guān)管連接在flash型FPGA的內(nèi)核電源與芯片地之間的通路上,芯片地是所述flash型FPGA的接地引腳; 所述開關(guān)管控制邏輯連接并控制所述導(dǎo)通開關(guān)管的通斷,所述開關(guān)管控制邏輯基于p_flash開關(guān)單元構(gòu)建,在所述flash型FPGA的第一次上電過程中,所述開關(guān)管控制邏輯在p_flash開關(guān)單元的內(nèi)部殘留電荷作用下、輸出無效電平使所述導(dǎo)通開關(guān)管關(guān)斷,使得內(nèi)核電源與芯片地之間的通路斷開,并完成所述flash型FPGA的第一次上電。

      如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人無錫中微億芯有限公司,其通訊地址為:214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號(hào)B1幢2層;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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