伊斯曼柯達公司O·默卡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉伊斯曼柯達公司申請的專利平版印版前體和使用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116490365B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180080800.7，技術領域涉及：B41N3/03；該發明授權平版印版前體和使用方法是由O·默卡;靖宮本設計研發完成，并于2021-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本平版印版前體和使用方法在說明書摘要公布了：利用使用兩個單獨的陽極化處理制備的獨特的含鋁基材來制備平版印版前體，以提供平均干厚度Ti為300?3,000nm以及具有100nm的平均內部微孔徑Di的大量內部微孔的內部氧化鋁層。還提供具有平均外部微孔徑Do為15?30nm的大量外部微孔和30?650nm的干厚度To的外部氧化鋁層。以0.0002?0.1gm2設置在外部氧化鋁層上的親水層至少具有包含a重復單元和b重復單元的親水共聚物，a重復單元具有酰胺基團，b重復單元包含與磷原子直接連接的?OM基團，其中M代表氫、鈉、鉀或鋁原子。
本發明授權平版印版前體和使用方法在權利要求書中公布了：1.平版印版前體，其包含： 具有平坦表面的基材，和 設置在所述基材的平坦表面上的可在機顯影的輻射敏感可成像層， 其中所述基材包含： 具有經磨版并蝕刻的平坦表面的含鋁板； 設置在所述經磨版并蝕刻的平坦表面上的內部氧化鋁層，所述內部氧化鋁層具有至少300nm且至多3,000nm的平均干厚度Ti，并且包含具有小于或等于100nm的平均內部微孔徑Di的大量內部微孔； 設置在所述內部氧化鋁層上的外部氧化鋁層，所述外部氧化鋁層包含具有至少15nm且至多30nm的平均外部微孔徑Do的大量外部微孔，并且具有至少30nm且至多650nm的平均干厚度To；和 以至少0.0002gm2且至多0.1gm2的干覆蓋率設置在所述外部氧化鋁層上的親水層，且所述親水層包含一種或多種親水聚合物，所述親水聚合物中的至少一種是至少包含重復單元a和重復單元b的親水共聚物，所述重復單元a包含酰胺基團，所述重復單元b包含與磷原子直接連接的-OM基團，其中M代表氫、鈉、鉀或鋁原子。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人伊斯曼柯達公司，其通訊地址為：美國紐約州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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