買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉新唐科技股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114171453B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110588154.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由陳暐鈞;陳曠舉;劉漢英設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-05-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：形成凹槽在基板上。凹槽具有側(cè)表面與底表面。形成第一介電層于凹槽的側(cè)表面與底表面、以及基板上，以使第一介電層具有溝槽。填充第一導(dǎo)電材料于溝槽中。回蝕第一導(dǎo)電材料，以形成第一導(dǎo)電層并暴露位于凹槽的側(cè)表面上的第一介電層的一部分。刻蝕第一介電層，使得位于凹槽的側(cè)表面上的第一介電層的上述部分具有沿著遠(yuǎn)離凹槽的底表面的方向變小的寬度。填充第二導(dǎo)電材料于溝槽中，以形成在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠減少或避免產(chǎn)生在被形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的缺陷，來獲得具有更優(yōu)良的電性特征及可靠性的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 形成一凹槽在一基板上，所述凹槽具有一側(cè)表面與一底表面； 形成一第一介電層于所述凹槽的所述側(cè)表面與所述底表面、以及所述基板上，以使所述第一介電層具有一溝槽； 填充一第一導(dǎo)電材料于所述溝槽中； 回蝕所述第一導(dǎo)電材料，以形成一第一導(dǎo)電層并暴露位于所述凹槽的所述側(cè)表面上的所述第一介電層的一部分； 刻蝕所述第一介電層，使得位于所述凹槽的所述側(cè)表面上的所述第一介電層的所述部分具有沿著遠(yuǎn)離所述凹槽的所述底表面的方向變小的寬度； 填充一第二導(dǎo)電材料于所述溝槽中，以形成在所述第一導(dǎo)電層上的一第二導(dǎo)電層； 移除所述第二導(dǎo)電層的一部分，使得所述第二導(dǎo)電層的頂表面平行或低于所述基板的頂表面，并留下一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)； 移除所述第一介電層的一部分，使得所述第一介電層的頂表面低于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂表面； 形成一第二介電層于所述第二導(dǎo)電層上；及 形成一第三導(dǎo)電層于所述第二介電層上。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人新唐科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。