鈺創科技股份有限公司盧超群獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鈺創科技股份有限公司申請的專利具有低漏電流的晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112018183B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010467658.9，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權具有低漏電流的晶體管及其制造方法是由盧超群;甘萬達設計研發完成，并于2020-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有低漏電流的晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有低漏電流的晶體管及其制造方法。所述晶體管包含一基板，一柵極，多個間隔層，多個襯墊介電層，一源極，和一漏極。所述柵極具有一第一介電常數。所述多個間隔層具有一第二介電常數。所述多個襯墊介電層具有一第三介電常數。所述源極和所述漏極相鄰于所述多個間隔層以及設置在相對于所述柵極的相反方向上。所述第一介電常數，所述第二介電常數，及所述第三介電常數彼此不同。因此，相較于現有技術，本發明可更有效低地降低柵極誘導漏極的漏電流，短溝道效應，關閉電流，或結漏電流。
本發明授權具有低漏電流的晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有低漏電流的晶體管，包含∶ 一基板； 一柵極，形成在一柵極介電層之上，其中所述柵極介電層具有一第一介電常數； 多個間隔層，具有一第二介電常數； 多個襯墊介電層，形成在所述多個間隔層之下以及具有一第三介電常數， 其中所述多個襯墊介電層的至少一者具有多個厚度，所述第一介電常數大于所述第二介電常數，以及所述第二介電常數大于所述第三介電常數；及 一源極和一漏極，形成在所述基板之中，其中所述源極和所述漏極相鄰于所述多個間隔層以及設置在相對于所述柵極的相反方向上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人鈺創科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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