三星電子株式會社李東建獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體發光裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111009601B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910628665.X，技術領域涉及：H10H20/821；該發明授權半導體發光裝置是由李東建;金柱成;徐鐘旭;卓泳助設計研發完成，并于2019-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體發光裝置在說明書摘要公布了：半導體發光裝置包括第一半導體層，其在襯底上并具有第一導電類型；有源層，其在第一半導體層上；第二半導體層，其在有源層上并具有第二導電類型，第二半導體層摻雜有鎂，并且具有基本平行于襯底的上表面的上表面以及相對于襯底的上表面傾斜的側表面；以及第三半導體層，其在第二半導體層上并具有第二導電類型，第三半導體層摻雜有不同于第二半導體層的鎂濃度的鎂濃度，并且第三半導體層具有基本平行于襯底的上表面的上表面，以及相對于襯底的上表面傾斜的側表面。
本發明授權半導體發光裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體發光裝置，包括： 第一半導體層，其在襯底上并具有第一導電類型； 有源層，其在所述第一半導體層上； 第二半導體層，其在所述有源層上并具有第二導電類型，所述第二半導體層摻雜有鎂，并且所述第二半導體層具有實質上平行于所述襯底的上表面的上表面以及相對于所述襯底的上表面傾斜的側表面；以及 第三半導體層，其在所述第二半導體層上并具有所述第二導電類型，所述第三半導體層摻雜的鎂Mg濃度大于所述第二半導體層的鎂Mg濃度，并且所述第三半導體層具有實質上平行于所述襯底的上表面的上表面以及相對于所述襯底的上表面傾斜的側表面， 其中，所述第二半導體層包括： 側部部分，其摻雜有第三濃度的鎂；以及 上部部分，其摻雜有大于所述第三濃度的第四濃度的鎂， 其中，所述側部部分沿著水平方向的厚度大于所述上部部分的沿豎直方向的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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