臺灣積體電路制造股份有限公司江國誠獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110660859B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910381127.5，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體裝置的制造方法是由江國誠;朱熙甯;陳冠霖;程冠倫;王志豪設計研發完成，并于2019-05-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：半導體裝置的制造方法包含形成從基底突出的鰭片，此鰭片具有多個犧牲層和多個通道層，其中犧牲層和通道層交替排列，從鰭片的通道區移除犧牲層的一部分，在已經移除犧牲層的一部分的區域中沉積間隔物材料，選擇性地移除間隔物材料的一部分，借此露出鰭片的通道區中的通道層，其中間隔物材料的其他部分保留作為間隔物部件，以及形成柵極結構接合于露出的通道層。
本發明授權半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，包括： 形成從一基底突出的一鰭片，該鰭片具有多個犧牲層和多個通道層，其中該多個犧牲層和該多個通道層交替排列； 從該鰭片的一通道區去除該多個犧牲層的一部分； 在已經去除了該多個犧牲層的該部分的區域中沉積一間隔物材料； 去除該間隔物材料的一部分，借此露出該鰭片的該通道區中的該多個通道層，其中該間隔物材料的其他部分保留作為一間隔物部件； 形成一柵極結構接合于露出的該多個通道層；以及 形成一源極漏極部件，其中該間隔物部件介于該源極漏極部件和該柵極結構之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號