粵芯半導體技術股份有限公司趙仲文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種混合式高壓LDMOS器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120239307B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510705362.9，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權一種混合式高壓LDMOS器件及其制備方法是由趙仲文;余文竟;許俊焯設計研發完成，并于2025-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種混合式高壓LDMOS器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體高壓器件技術領域，特別是涉及一種混合式高壓LDMOS器件及其制備方法；本發明所述混合式高壓LDMOS器件在N型漂移區內部設置淺槽隔離區的同時，在P型漂移區和所述N型漂移區表面設置厚氧化層，混合了淺槽隔離層和場板表面的厚氧化層，從而使得淺槽隔離區和厚氧化層共同作用影響源極和漏極之間的電場，顯著改善了縱向電場分布，使得該混合式高壓LDMOS器件取得優于純淺槽隔離場板結構或純氧化層場板結構的擊穿電壓，且相較于純淺槽隔離和純氧化層結構具有更低的導通電阻和更長的熱載流子注入壽命，解決了基于純氧化層結構的熱載流子注入效應壽命短的問題。
本發明授權一種混合式高壓LDMOS器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種混合式高壓LDMOS器件，其特征在于，包括襯底、P型漂移區、P型體區、高濃度P型摻雜區、N型漂移區、淺槽隔離區、厚氧化層、源極、柵極和漏極，其中：所述P型漂移區位于所述襯底表面一側，所述N型漂移區位于所述襯底表面另一側，所述P型漂移區與所述N型漂移區相接；所述P型體區位于所述P型漂移區內部；所述高濃度P型摻雜區和所述源極位于所述P型體區內部；所述高濃度P型摻雜區和所述源極相接；所述漏極位于所述N型漂移區內部； 所述淺槽隔離區位于所述N型漂移區內部，且所述淺槽隔離區位于所述源極和所述漏極之間； 所述厚氧化層位于所述P型漂移區和所述N型漂移區表面； 所述柵極位于所述P型漂移區和所述厚氧化層表面； 所述淺槽隔離區位于所述厚氧化層中部正下方； 所述柵極的邊界與所述厚氧化層中心對齊，所述淺槽隔離區位于所述柵極正下方。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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