粵芯半導體技術股份有限公司歐陽文森獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利測試晶圓制備方法、測試晶圓及測試晶圓使用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120149158B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510631904.2，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權測試晶圓制備方法、測試晶圓及測試晶圓使用方法是由歐陽文森;李世韋;王勝林設計研發完成，并于2025-05-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本測試晶圓制備方法、測試晶圓及測試晶圓使用方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種測試晶圓制備方法、測試晶圓及測試晶圓使用方法，涉及半導體制造技術領域。該測試晶圓制備方法包括：基于測試晶圓待生長的氮化硅膜層的預設生長次數以及預設總厚度，確定測試晶圓每次生長的氮化硅膜層的生長厚度；基于預設生長次數以及生長厚度，通過爐管工藝分批在測試晶圓的正面和背面生長氮化硅膜層，并在每次生長氮化硅膜層前將測試晶圓相對爐管內的支撐部旋轉預設角度，以改變測試晶圓與支撐部接觸時形成的支撐點。通過上述技術手段，可在測試晶圓上生長厚度均勻的氮化硅膜層，避免測試晶圓在支撐點處產生較大應力而出現翹曲形變甚至破片，有效延長了測試晶圓的使用壽命，實現對測試晶圓的有效循環使用。
本發明授權測試晶圓制備方法、測試晶圓及測試晶圓使用方法在權利要求書中公布了：1.一種測試晶圓制備方法，其特征在于，包括： 基于測試晶圓待生長的氮化硅膜層的預設生長次數以及預設總厚度，確定所述測試晶圓每次生長的氮化硅膜層的生長厚度，所述測試晶圓每次生長的氮化硅膜層的生長厚度相同； 基于所述預設生長次數以及所述生長厚度，通過爐管工藝分批在所述測試晶圓的正面和背面生長所述氮化硅膜層，對所述測試晶圓生長的氮化硅膜層進行高溫退火，并在每次生長所述氮化硅膜層前將所述測試晶圓相對爐管內的支撐部旋轉預設角度，以改變所述測試晶圓與所述支撐部接觸時形成的支撐點。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人粵芯半導體技術股份有限公司，其通訊地址為：510000 廣東省廣州市黃埔區鳳凰五路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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