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龍圖騰網(wǎng)獲悉陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司申請(qǐng)的專利一種功率器件驅(qū)動(dòng)器及其參數(shù)校正方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120127954B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510600262.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權(quán)一種功率器件驅(qū)動(dòng)器及其參數(shù)校正方法是由何曉寧;高俊澤;肖雨佳;李釗君;李陽(yáng)善;李思政;張沖;文陽(yáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種功率器件驅(qū)動(dòng)器及其參數(shù)校正方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種功率器件驅(qū)動(dòng)器及其參數(shù)校正方法，應(yīng)用于功率器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，數(shù)據(jù)采集模塊在IGBT工作過(guò)程中采集IGBT的柵極電壓和峰值電流得到采樣數(shù)據(jù)；數(shù)字隔離芯片實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集模塊、MCU和柵壓調(diào)節(jié)模塊之間的電氣隔離；MCU利用預(yù)設(shè)的結(jié)溫校準(zhǔn)公式，基于采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)的校準(zhǔn)輸出校準(zhǔn)后的結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)；柵極驅(qū)動(dòng)芯片根據(jù)控制信號(hào)輸出能夠驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極電壓；二階短路保護(hù)模塊在IGBT發(fā)生短路時(shí)向MCU發(fā)送異常信號(hào)以使MCU向柵壓調(diào)節(jié)模塊發(fā)送柵壓調(diào)節(jié)觸發(fā)信號(hào)；柵壓調(diào)節(jié)模塊響應(yīng)于柵壓調(diào)節(jié)觸發(fā)信號(hào)，控制自身降低柵極電壓。基于本發(fā)明提供的功率器件驅(qū)動(dòng)器及其參數(shù)校正方法提高了結(jié)溫監(jiān)測(cè)的精度和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種功率器件驅(qū)動(dòng)器及其參數(shù)校正方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種功率器件驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，包括：殼溫采集模塊、MCU、數(shù)字隔離芯片、二階短路保護(hù)模塊、柵極驅(qū)動(dòng)芯片、數(shù)據(jù)采集模塊以及柵壓調(diào)節(jié)模塊； 所述殼溫采集模塊，用于獲取IGBT工作前的結(jié)溫參數(shù)，以為所述MCU提供初始結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)； 所述數(shù)據(jù)采集模塊，用于在所述IGBT工作過(guò)程中采集所述IGBT的柵極電壓和峰值電流，得到采樣數(shù)據(jù)； 所述數(shù)字隔離芯片，用于實(shí)現(xiàn)所述數(shù)據(jù)采集模塊、所述MCU以及所述柵壓調(diào)節(jié)模塊之間的電氣隔離； 所述MCU，用于接收所述采樣數(shù)據(jù)，并利用預(yù)設(shè)的結(jié)溫校準(zhǔn)公式，基于所述采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)的校準(zhǔn)，輸出校準(zhǔn)后的結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)；所述預(yù)設(shè)的結(jié)溫校準(zhǔn)公式中的結(jié)溫校準(zhǔn)斜率根據(jù)所述IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)頻率確定；所述預(yù)設(shè)的結(jié)溫校準(zhǔn)公式中的結(jié)溫校準(zhǔn)系數(shù)根據(jù)所述IGBT的初始結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)和初始峰值采集電壓確定；所述初始峰值采集電壓根據(jù)初始峰值電流確定； 所述結(jié)溫校準(zhǔn)公式為： ； 其中，表示所述校準(zhǔn)后的結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)；表示所述實(shí)時(shí)結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)；表示所述結(jié)溫校準(zhǔn)斜率；表示所述結(jié)溫校準(zhǔn)系數(shù)； 所述柵極驅(qū)動(dòng)芯片，用于根據(jù)控制信號(hào)輸出能夠驅(qū)動(dòng)所述IGBT的柵極電壓；所述控制信號(hào)由所述MCU產(chǎn)生； 所述二階短路保護(hù)模塊，用于在所述IGBT發(fā)生短路時(shí)向所述MCU發(fā)送異常信號(hào)，以使所述MCU響應(yīng)于所述異常信號(hào)，向所述柵壓調(diào)節(jié)模塊發(fā)送柵壓調(diào)節(jié)觸發(fā)信號(hào)； 所述柵壓調(diào)節(jié)模塊，用于響應(yīng)于所述柵壓調(diào)節(jié)觸發(fā)信號(hào)，控制所述柵壓調(diào)節(jié)模塊降低所述IGBT的柵極電壓，實(shí)現(xiàn)IGBT保護(hù)。

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