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龍圖騰網獲悉浙江翠展微電子有限公司申請的專利一種高速IGBT器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120111909B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510577974.4，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權一種高速IGBT器件及其制造方法是由于清華;王鑫;吳瑞;彭昊設計研發完成，并于2025-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高速IGBT器件及其制造方法在說明書摘要公布了：一種高速IGBT器件及其制造方法。所述高速IGBT器件包括P型集電區，N型漂移區，P型體區，N型發射區，溝槽，絕緣介質層，以及發射極金屬。與柵極金屬短接且與所述N型發射區相連的所述溝槽為柵極溝槽，與發射極金屬短接的所述溝槽為發射極溝槽，與柵極金屬短接且與所述N型發射區不相連的所述溝槽為偽柵極溝槽。所述偽柵極溝槽和所述發射極溝槽的底部設置有相互連接的摻雜區域，使得所述發射極溝槽底部的電勢會被所述偽柵極溝槽底部的電勢拉升。在開關時對所述發射極溝槽底部電勢提供額外電荷，維持所述柵極溝槽底部電勢在較高水平，縮短關斷時間，減少Vce電壓拖尾現象。

本發明授權一種高速IGBT器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種高速IGBT器件，其特征在于：所述高速IGBT器件包括一個P型集電區，一個設置在所述P型集電區上的N型漂移區，一個設置在所述N型漂移區上的P型體區，多個設置在所述P型體區上的N型發射區，多個設置在所述P型體區上的溝槽，一個設置在所述P型體區上的絕緣介質層，以及一個設置在所述絕緣介質層上的發射極金屬，所述溝槽內填充有多晶硅，所述溝槽的內壁設置有柵氧化層，所述柵氧化層位于所述多晶硅和所述溝槽之間，多個所述溝槽內的所述多晶硅分別與柵極金屬和發射極金屬短接，與柵極金屬短接且與所述N型發射區相連的所述溝槽為柵極溝槽，與發射極金屬短接的所述溝槽為發射極溝槽，與柵極金屬短接且與所述N型發射區不相連的所述溝槽為偽柵極溝槽，所述偽柵極溝槽和所述發射極溝槽的底部設置有相互連接的摻雜區域，所述摻雜區域添加的雜質為磷，所述發射極溝槽底部的電勢會被所述偽柵極溝槽底部的電勢拉升至相近水平，通過所述摻雜區域使所述偽柵極溝槽的較高電勢會對所述發射極溝槽底部電勢提供額外電荷，保證兩者電勢同步，所述發射極溝槽和所述偽柵極溝槽相互水平分布或垂直分布。

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