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龍圖騰網(wǎng)獲悉揚(yáng)州虹揚(yáng)科技發(fā)展有限公司申請(qǐng)的專利一種單體整流橋的生產(chǎn)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116352205B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310392965.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B23K1/008；該發(fā)明授權(quán)一種單體整流橋的生產(chǎn)方法是由陳楊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-04-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種單體整流橋的生產(chǎn)方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種單體整流橋的生產(chǎn)方法，涉及半導(dǎo)體產(chǎn)品焊接技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：S1：在預(yù)焊模中依次倒入下焊片、芯片和上焊片，然后送入焊接爐中，制得預(yù)焊晶粒；S2：在焊接模上依次裝填下引線、步驟S1中的預(yù)焊晶粒和上引線，然后送入焊接爐中進(jìn)行焊接，得到單體整流橋。本發(fā)明解決了現(xiàn)有引線擺放易出錯(cuò)從而影響整流橋質(zhì)量的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)一種單體整流橋的生產(chǎn)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單體整流橋的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：在預(yù)焊模中依次倒入下焊片、芯片和上焊片，然后送入焊接爐中，制得預(yù)焊晶粒； S2：在焊接模上依次裝填下引線、步驟S1中的預(yù)焊晶粒和上引線，然后送入焊接爐中進(jìn)行焊接，得到單體整流橋； 所述步驟S2中裝填下引線的具體步驟如下： S201：在所述焊接模上放置開設(shè)有第一下料槽的第一定位板，然后將裝有第一下引線的梳條組件放置于所述第一定位板上，打開所述梳條組件，使得所述第一下引線自所述第一下料槽落至所述焊接模的焊接槽中，最后去除所述第一定位板，完成第一下引線的裝填； S202：在所述焊接模上放置開設(shè)有第二下料槽的第二定位板，然后將裝有第二下引線的梳條組件放置于所述第二定位板上，打開所述梳條組件，使得所述第二下引線自所述第二下料槽落至所述焊接模的焊接槽中，最后去除所述第二定位板，完成第二下引線的裝填； 所述步驟S2中裝填預(yù)焊晶粒的具體步驟如下： S203：先將芯片吸筆接上真空管，吸附所述步驟S1中的預(yù)焊晶粒的P面或者N面，然后運(yùn)動(dòng)至所述焊接模上方，去除真空管，使得所述預(yù)焊晶粒落至所述焊接模的焊接槽中，然后去除芯片吸筆； 所述步驟S2中裝填上引線的具體步驟如下： S204：在所述焊接模上放置開設(shè)有第三下料槽的第三定位板，然后將裝有第一上引線的梳條組件放置于所述第三定位板上，打開所述梳條組件，使得所述第一上引線自所述第三下料槽落至所述焊接模的焊接槽中，最后去除所述第三定位板，完成第一上引線的裝填； S205：在所述焊接模上放置開設(shè)有第四下料槽的第四定位板，然后將裝有第二上引線的梳條組件放置于所述第四定位板上，打開所述梳條組件，使得所述第二上引線自所述第四下料槽落至所述焊接模的焊接槽中，最后去除所述第四定位板，完成第二上引線的裝填。

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