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龍圖騰網獲悉北京工業大學申請的專利一種采用微秒級瞬態曲線表征GaNHEMT器件陷阱參數的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116047251B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310000307.0，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種采用微秒級瞬態曲線表征GaNHEMT器件陷阱參數的方法是由潘世杰;馮士維;李軒;白昆;魯曉莊設計研發完成，并于2023-01-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種采用微秒級瞬態曲線表征GaNHEMT器件陷阱參數的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種采用微秒級瞬態曲線表征GaNHEMT器件陷阱參數的方法，涉及半導體器件可靠性領域。通過電路設計實現對GaNHEMT器件在恒定電學偏置下微秒級瞬態電壓曲線的采集，并通過結構函數法進一步分析處理得到相關陷阱信息。所述方法主要包括：將被測器件放置于恒溫平臺上，并與陷阱測試電路相連接；在陷阱填充過程中通過電路對器件施加偏置電壓；在陷阱釋放過程中通過快速開關將切換時間縮短至微秒級，同時采集瞬態電壓曲線的變化情況并通過軟件進行分析處理，得到器件內部陷阱相關信息。本發明通過電路設計將瞬態電壓曲線的采集提升至微秒級，可用于不同廠商生產的GaNHEMT器件陷阱測試，具有較好的通用性。

本發明授權一種采用微秒級瞬態曲線表征GaNHEMT器件陷阱參數的方法在權利要求書中公布了：1.一種采用微秒級瞬態曲線表征GaNHEMT器件陷阱參數的方法，其特征在于： 1）將被測器件置于溫度為T1的恒溫平臺上，并與恒流源電路、漏壓控制電路、柵壓控制電路及放大電路相連接；其中漏壓控制電路通過二極管負載與被測器件連接，柵壓控制電路通過雙極性晶體管與被測器件連接；計算機通過AD采集電路實現瞬態電壓信號的實時采集，并通過放大電路和信噪比增強電路分別實現電壓信號的放大及降噪處理；通過計算機設置填充階段的柵源電壓VGF、漏源電壓VDF、填充時間t1，以及測試階段的漏源電流IDM、測試時間t2，由計算機控制開始進行陷阱填充和測試過程； 2）在填充階段由計算機控制漏壓控制電路和柵壓控制電路，對器件施加恒定脈寬t1的負柵源電壓VGF和正漏源電壓VDF以填充器件內部陷阱； 3）填充時間t1結束后，通過計算機控制由雙極性晶體管搭建的快速開關電路，實現柵壓控制電路的快速切換，同時采用二極管作為負載減少切換過程中恒流源的建立時間，電路切換后對陷阱釋放過程進行測試；在測試階段，對器件施加0V柵源電壓以保證被測器件處于導通狀態，耗盡型器件閾值電壓小于0V，且器件柵源之間電勢相同從而避免引入外加柵源電場的影響；同時施加恒定的漏源電流IDM，通過AD采集電路采集被測器件漏源電壓隨時間變化曲線，測試時間為t2； 4）將步驟3）所獲取的瞬態電壓數據通過放大電路和信噪比增強電路分別進行放大和降噪處理，即得到瞬態電壓響應曲線；將數據返回至計算機進行結構函數法處理，以獲得相應的時間常數譜TCS；時間常數譜TCS的橫軸對應瞬態電壓響應曲線的測試時間t2，以對數坐標表示；縱軸為結構函數法處理后得到的陷阱相對幅值；從時間常數譜TCS中獲取的峰值個數即為陷阱個數，峰值對應橫坐標即為陷阱的時間常數。

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