山東大學劉國磊獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東大學申請的專利一種非共線反鐵磁Mn3Sn單晶薄膜及其分子束外延制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115642011B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211364041.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01F10/00；該發(fā)明授權(quán)一種非共線反鐵磁Mn3Sn單晶薄膜及其分子束外延制備方法是由劉國磊;劉嘉慧;張震;顏世申;陳延學;梅良模設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-11-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種非共線反鐵磁Mn3Sn單晶薄膜及其分子束外延制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種非共線反鐵磁Mn3Sn單晶薄膜及其分子束外延制備方法，屬于自旋電子學材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。薄膜包括由下到上依次設(shè)置的襯底和Mn3Sn薄膜，Mn3Sn薄膜晶體取向為0001、或晶體取向為0001時，Mn3Sn薄膜具有六度對稱性。本發(fā)明制備D019六角晶體結(jié)構(gòu)的非線性反鐵磁Mn3Sn薄膜，具有優(yōu)良的晶體有序性和自旋有序性，而且很好的體現(xiàn)了塊體材料中的新奇物理特性和拓撲電子輸運特性，適用于后續(xù)的科學研究，是一種應(yīng)用于反鐵磁自旋電子學器件的優(yōu)良材料。
本發(fā)明授權(quán)一種非共線反鐵磁Mn3Sn單晶薄膜及其分子束外延制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種非共線反鐵磁Mn3Sn單晶薄膜，其特征在于，包括由下到上依次設(shè)置的襯底和Mn3Sn薄膜，Mn3Sn薄膜晶體取向為0001，Mn3Sn薄膜具有六度對稱性，Mn3Sn薄膜的外延關(guān)系為
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人山東大學，其通訊地址為：250199 山東省濟南市歷城區(qū)山大南路27號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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