江西兆馳半導體有限公司周志兵獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利表面粗化的LED外延片及其制備方法、LED獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115621375B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211212636.3，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權表面粗化的LED外延片及其制備方法、LED是由周志兵;張星星;林瀟雄;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本表面粗化的LED外延片及其制備方法、LED在說明書摘要公布了：本發明公開了一種表面粗化的LED外延片及其制備方法、LED，涉及半導體光電器件領域。該制備方法包括：在襯底上依次生長緩沖層、第一半導體層、多量子阱層、電子阻擋層、第二半導體層和本征半導體層，采用磁控濺射技術對本征半導體層進行表層摻雜和初次粗化，采用離子注入技術推進摻雜和二次粗化；退火使得本征把半導體層轉換為P型半導體層。其中，磁控濺射時，濺射靶與襯底之間的角度≥30°。實施本發明，可在外延片表面形成自組裝的納米結構，提升了光提取效率。同時可使得摻雜更加均勻，提升發光效率。此外，該制備方法無需掩膜、簡單快速、成本低。
本發明授權表面粗化的LED外延片及其制備方法、LED在權利要求書中公布了：1.一種表面粗化的LED外延片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 1提供襯底，在所述襯底上依次生長緩沖層、非摻半導體層、第一半導體層、多量子阱層、電子阻擋層和第二半導體層； 2在所述第二半導體層上生長本征半導體層，得到中間品； 3將所述中間品加載至真空濺射室中，采用高能離子束轟擊濺射靶得到的原子濺射所述本征半導體層，以對本征半導體層進行摻雜；其中，所述高能離子束為氬離子高能離子束，能量為30-60keV；所述濺射靶與所述中間品呈預設角度，以使濺射時對所述本征半導體層進行初次粗化，所述預設角度≥30°； 4將步驟3得到的中間品加載至真空離子注入機中，采用低能離子束轟擊摻雜后的本征半導體層，以推進本征半導體層中的摻雜元素，同時對所述本征半導體層進行二次粗化；其中，所述低能離子束為N+低能離子束，能量為200-1000eV； 5將步驟4得到的中間品退火，以使本征半導體層轉化為P型半導體層，得到表面粗化的LED外延片成品。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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