財團法人交大思源基金會;安碁科技股份有限公司洪瑞華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉財團法人交大思源基金會;安碁科技股份有限公司申請的專利晶體振蕩器及其制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115733456B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211008778.8,技術領域涉及:H03H3/02;該發明授權晶體振蕩器及其制作方法是由洪瑞華;林逸倫設計研發完成,并于2022-08-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶體振蕩器及其制作方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種晶體振蕩器及其制作方法,該晶體振蕩器包含振蕩基板、中空框架、第一電極及第二電極。所述振蕩基板包括彼此反向的第一表面、第二表面及振蕩部。所述中空框架設置于所述第二表面并框圍出所述振蕩部,且所述振蕩部由主振蕩區及厚度小于所述主振蕩區的薄化區共同定義而成。所述第一電極包括位于第一表面的第一電極部、及自所述第一電極部延伸至第二表面的第一延伸電極部。所述第二電極位于第二表面,包括位于所述振蕩部的第二電極部、及自所述第二電極部延伸至與所述第一延伸電極部位于同側的第二延伸電極部。
本發明授權晶體振蕩器及其制作方法在權利要求書中公布了:1.一種晶體振蕩器的制作方法,其特征在于,包含: 第一電極部制作步驟,于壓電基板的其中一表面形成第一電極部,而得到第一半成品; 貼合步驟,將所述第一半成品以所述第一電極部朝向暫時基板的方向貼合于所述暫時基板; 第一次薄化步驟,將所述第一半成品的壓電基板進行全面薄化,而得到具有第一厚度的薄化壓電基板; 第二電極制作步驟,于所述薄化壓電基板反向所述暫時基板的表面形成第二電極,所述第二電極具有對應于所述第一電極部且具有至少一孔洞的第二電極部、及自所述第二電極部延伸至所述薄化壓電基板的周緣的第二延伸電極部,且令所述第二電極部的正投影范圍與所述第一電極部至少部分重合; 延伸電極制作步驟,形成自所述第一電極部延伸并沿著所述薄化壓電基板的側周面延伸至所述薄化壓電基板形成有所述第二電極的表面的第一延伸電極部; 框架形成步驟,在所述薄化壓電基板反向所述第一電極的表面上形成具有預定厚度、且框圍所述第二電極部并壓設于所述第二延伸電極部上的中空框架;及 第二次薄化步驟,以所述第二電極為屏蔽,利用蝕刻的方式將所述薄化壓電基板對位于所述至少一孔洞的位置進行薄化,以形成第二半成品。
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