上海華力微電子有限公司韓俊偉獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利缺陷監(jiān)控方法及缺陷監(jiān)控系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115170495B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210744426.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G06T7/00;該發(fā)明授權(quán)缺陷監(jiān)控方法及缺陷監(jiān)控系統(tǒng)是由韓俊偉設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-06-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本缺陷監(jiān)控方法及缺陷監(jiān)控系統(tǒng)在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種缺陷監(jiān)控方法及缺陷監(jiān)控系統(tǒng),缺陷監(jiān)控方法包括:建立數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫:逐層采集測試晶圓的第一光學(xué)圖像,人為定義滋擾性缺陷,對存在所述滋擾性缺陷的第一光學(xué)圖像進行數(shù)字分析,并將得到的第一數(shù)字信號存儲至所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi);采集監(jiān)控晶圓的第二光學(xué)圖像并進行數(shù)字分析,輸出所述監(jiān)控晶圓的第二數(shù)字信號,并將所述第二數(shù)字信號與所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi)的第一數(shù)字信號進行比對,若所述第二數(shù)字信號與所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi)的某一所述第一數(shù)字信號相同,則過濾掉所述第二光學(xué)圖像。通過建立數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫以及采用數(shù)字信號分析比對的方式來對缺陷進行過濾,智能高效,精準(zhǔn)度高,有效提高了晶圓的良率。
本發(fā)明授權(quán)缺陷監(jiān)控方法及缺陷監(jiān)控系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種缺陷監(jiān)控方法,其特征在于,包括: 建立數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫:逐層采集測試晶圓的第一光學(xué)圖像,人為定義滋擾性缺陷,對存在所述滋擾性缺陷的第一光學(xué)圖像進行數(shù)字分析,并將得到的第一數(shù)字信號存儲至所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi); 采集監(jiān)控晶圓的第二光學(xué)圖像并進行數(shù)字分析,輸出所述監(jiān)控晶圓的第二數(shù)字信號,并將所述第二數(shù)字信號與所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi)的第一數(shù)字信號進行比對,若所述第二數(shù)字信號與所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi)的某一所述第一數(shù)字信號相同,則過濾掉所述第二光學(xué)圖像; 所述缺陷監(jiān)控方法還包括: 對所述第一數(shù)字信號進行分析,得到所述第一數(shù)字信號的變化范圍; 若所述第二數(shù)字信號與所述數(shù)字信號數(shù)據(jù)庫內(nèi)任一所述第一數(shù)字信號均不相同,則進一步判斷所述第二數(shù)字信號是否位于某一所述第一數(shù)字信號的變化范圍內(nèi),若是,則過濾掉所述第二光學(xué)圖像,若否,則輸出所述監(jiān)控晶圓的缺陷分布圖。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人上海華力微電子有限公司,其通訊地址為:201314 上海市浦東新區(qū)良騰路6號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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