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龍圖騰網獲悉上海集成電路制造創新中心有限公司;復旦大學申請的專利半導體器件的溝道結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114937700B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210682323.8，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件的溝道結構的制作方法是由陳鯤;楊靜雯;徐敏;王晨;張衛;徐賽生;吳春蕾設計研發完成，并于2022-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件的溝道結構的制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體器件的溝道結構的制作方法，包括：第一溝道區以及第二溝道區，所述第一溝道區與所述第二溝道區均形成于所述GAA器件的源區和漏區之間；所述第一溝道區形成于襯底的第一區域上；所述第二溝道區形成于所述襯底的第二區域上；所述第一溝道區包括：沿遠離所述襯底方向上依次形成的第一溝道層以及若干第二溝道層，各第二溝道層之間以及所述若干第二溝道層與所述第一溝道層之間均不接觸；所述第二溝道區包括：形成于所述襯底上的所述第一溝道層。解決了如何利用簡潔的工藝制作半導體器件的溝道結構的問題，實現了工藝的簡化以及減小器件缺陷的效果。

本發明授權半導體器件的溝道結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的溝道結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供一襯底； 在所述襯底的第一區域和第二區域上沿遠離所述襯底方向上依次外延第一溝道層與堆疊層；所述堆疊層包括間隔堆疊的第二溝道層和犧牲層； 對所述犧牲層進行摻雜以形成摻雜區域； 刻蝕所述第一溝道層和所述堆疊層以在所述第一區域和所述第二區域分別形成沿第一方向排列的若干鰭結構； 形成若干假柵堆疊件；假柵堆疊件形成于每個鰭結構上，且沿第二方向排列，每個所述假柵堆疊件橫跨每個所述鰭結構；所述假柵堆疊件包括假柵和內隔離層； 刻蝕所述鰭結構形成刻蝕空腔； 在沿所述第二方向上的所述犧牲層的兩側形成內側墻； 在所述刻蝕空腔中形成源區和漏區； 形成層間介質層；所述層間介質層形成于所述源區和所述漏區頂端且橫跨所述源區和所述漏區，所述源區和所述漏區沿所述第二方向排列； 去除所述假柵； 在所述堆疊層的頂端涂覆光刻膠，曝光并顯影所述光刻膠形成圖形化光刻膠，以使得所述圖形化的光刻膠覆蓋所述第一區域的所述堆疊層，而暴露出所述第二區域的所述堆疊層； 刻蝕所述第二區域的所述堆疊層，剩余的所述第二區域的所述第一溝道層構成所述第二區域的第二溝道區； 選擇性刻蝕所述第一區域的所述犧牲層以釋放所述溝道層，并保留所述第一溝道層完整；剩余的所述第二溝道層以及所述第一溝道層構成所述第一區域的第一溝道區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路制造創新中心有限公司;復旦大學，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海)自由貿易試驗區碧波路690號401-23室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。