買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉西安電子科技大學蕪湖研究院申請的專利一種低噪聲超寬帶有源巴倫獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114938206B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210356098.9，技術領域涉及：H03F1/42；該發明授權一種低噪聲超寬帶有源巴倫是由李振榮;高帥;段世澤;余立艷設計研發完成，并于2022-04-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低噪聲超寬帶有源巴倫在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低噪聲超寬帶有源巴倫，采用電流復用結構的放大器和差分對有源巴倫串聯構成。本發明的低噪聲超寬帶有源巴倫通過電流復用結構提高電壓增益，減小功耗和噪聲系數，通過寬帶匹配結構來實現超寬頻帶內50Ω的輸入阻抗匹配；差分對有源巴倫引入相位補償電感來進行減小相位誤差，采用并聯補償結構作為負載增大帶寬，通過二極管偏置方式降低溫度對工作狀態的影響，從而減小相位和幅度誤差。

本發明授權一種低噪聲超寬帶有源巴倫在權利要求書中公布了：1.一種低噪聲超寬帶有源巴倫，其特征在于，包括：第一級放大器和第二級放大器，所述第一級放大器和第二級放大器之間采用隔直電容和級間匹配電感串聯連接，所述第一級放大器包括匹配網絡電路，所述第一級放大器為電流復用結構，由兩個共用一路偏置電流的共源極放大電路級聯構成，所述第二級放大器為差分對巴倫結構，所述第一級放大器，用于將在輸入頻率變化范圍的輸入信號進行帶寬匹配、增益補償，以及補償第二級放大器增益的衰減，所述第二級放大器，用于將第一級放大器輸出單端信號轉化成差分信號； 兩個共源放大器電路為MOS管與負反饋電阻、源簡并電感、負載電阻共同構成第一級共源放大電路，柵極串聯電感的一端接至隔直電容，另一端接入第一MOS管的柵極，負反饋電阻接至MOS管柵漏之間，MOS管漏極接電阻作為共源放大器的負載，通過負反饋電阻實現自偏置； MOS管與負反饋電阻、負反饋電阻、電阻構成第二級共源放大電路，MOS管源極與MOS管漏極通過電阻相連，共用一條直流通路；MOS管漏極與電阻相連，電阻另一端接電源，作為第二級共源放大電路的負載，電阻、電阻在電源和地之間級聯分壓為MOS管提供直流偏置，電容另一端接MOS源極，一端接地；兩級共源放大電路之間通過電容和電感的級聯來耦合連接； 差分對結構中MOS管和MOS管、MOS管和MOS管分別級聯構成cascode結構作為主體結構，主體結構中的一路包含相位補償電感，另一路不包含；其中MOS管的漏極和MOS管的源極通過相位補償電感相連，MOS管漏極和MOS管源極直接相連，負載電阻和負載電感在MOS管漏極和電源之間串聯，負載電阻和負載電感在MOS管漏極和電源之間串聯，通過并聯補償結構增大帶寬；MOS管將柵極輸入信號反相后，從漏極經電容傳輸至MOS柵極，實現差分輸入；MOS和MOS管的柵漏相連構成二極管結構，分別與電阻、電阻分壓，再通過電阻、電阻為MOS管和MOS管提供偏置電壓；電阻、電阻為MOS管、MOS管提供偏置電壓；接地電容與MOS管的柵極、接地電容與MOS管柵極相連作為去耦電容，以減小輸出信號的相位和幅度誤差。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學蕪湖研究院，其通訊地址為：241000 安徽省蕪湖市弋江區高新技術產業開發區服務外包產業園4號樓1205室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。