華為技術有限公司;益豐新材料股份有限公司王磊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司;益豐新材料股份有限公司申請的專利光學聚合物及其制備方法、光學聚合物母粒、光學元件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116376018B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111582968.6,技術領域涉及:C08G75/08;該發明授權光學聚合物及其制備方法、光學聚合物母粒、光學元件是由王磊;梁萬根;張建林;鄒海良;鐘軼良;曹飛羽設計研發完成,并于2021-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本光學聚合物及其制備方法、光學聚合物母粒、光學元件在說明書摘要公布了:本申請涉及光學材料技術領域,提供了一種光學聚合物及其制備方法、光學聚合物母粒、光學元件。所述光學聚合物由如下式1所示的聚合單體聚合形成,其中,g、h分別選自1~5的整數,且g、h中至少有一個為1;R1為環狀烴基、芳基結構中的一種;R2、R3、R4各自獨立地選自H、?CH3、?CH2CH3、Cl、I、Br中的一種;X為氧原子或硫原子;a、b、m、n、p各自單獨地選自0、1或2,且當X為氧原子時,a、b不同時為0;o為0或1。本申請提供的光學聚合物,在能夠保持良好的耐熱性能和較低的體積收縮率的同時,具有高折射率和高阿貝數的優點。
本發明授權光學聚合物及其制備方法、光學聚合物母粒、光學元件在權利要求書中公布了:1.一種光學聚合物,其特征在于,所述光學聚合物由如下式1所示的聚合單體聚合形成, 其中,g、h分別選自1~5的整數,且g、h中至少有一個為1; R1為含有或者不含有雜原子的環狀烴基、芳基結構中的一種; R2、R3、R4各自獨立地選自H、-CH3、-CH2CH3、Cl、I、Br中的一種; X為氧原子或者硫原子,且當g大于或等于2時,多個X各自獨立地選自氧原子或硫原子; a、b、m、n、p各自單獨地選自0、1或2,且a、b不同時為0; o為0或1,且當h大于或等于2時,多個-COoCR2=CR3R4中的o各自獨立地選自0或1。
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