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龍圖騰網(wǎng)獲悉三菱電機株式會社申請的專利半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114566536B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111385011.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由吉田拓彌;鈴木健司;原口友樹設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。提供改善能量損耗的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包含半導(dǎo)體基板、第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層、第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層、二極管溝槽柵極及電極層。第1半導(dǎo)體層是作為半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)鹊谋韺佣O(shè)置的。第2半導(dǎo)體層設(shè)置于第1半導(dǎo)體層的下方。二極管溝槽柵極的二極管溝槽絕緣膜是沿溝槽的內(nèi)壁中的位于上部側(cè)壁的下方的下部側(cè)壁和底部形成的，該上部側(cè)壁位于溝槽的上端側(cè)。二極管溝槽柵極的二極管溝槽電極設(shè)置于溝槽內(nèi)部。電極層將溝槽的上部側(cè)壁覆蓋。第1半導(dǎo)體層在溝槽的上部側(cè)壁處與電極層接觸。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有： 半導(dǎo)體基板； 第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層，其是作為所述半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)鹊谋韺佣O(shè)置的； 第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述第1半導(dǎo)體層的下方； 二極管溝槽柵極，其包含二極管溝槽絕緣膜和二極管溝槽電極，該二極管溝槽絕緣膜形成于從所述半導(dǎo)體基板的上表面將所述第1半導(dǎo)體層貫穿而到達所述第2半導(dǎo)體層的溝槽的內(nèi)壁，該二極管溝槽電極設(shè)置于所述溝槽的內(nèi)部；以及 電極層，其將所述半導(dǎo)體基板的所述表層覆蓋， 所述二極管溝槽絕緣膜是沿所述溝槽的所述內(nèi)壁中的位于上部側(cè)壁的下方的下部側(cè)壁和底部形成的，該上部側(cè)壁位于所述溝槽的上端側(cè)， 所述電極層進一步將所述溝槽的所述上部側(cè)壁覆蓋， 所述第1半導(dǎo)體層在所述溝槽的所述上部側(cè)壁處與所述電極層接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。