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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院微電子研究所申請(qǐng)的專利光刻質(zhì)量的優(yōu)化方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114065573B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111285528.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/23；該發(fā)明授權(quán)光刻質(zhì)量的優(yōu)化方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品是由劉麗紅;韋亞一;丁虎文設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-01向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本光刻質(zhì)量的優(yōu)化方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品在說明書摘要公布了：本公開提供了一種光刻質(zhì)量的優(yōu)化方法，包括：基于特征矩陣法與布洛赫定理，確定由金屬膜層表面粗糙度引入的波函數(shù)雜散項(xiàng)；將波函數(shù)雜散項(xiàng)輸入至光刻質(zhì)量偏差數(shù)學(xué)模型中進(jìn)行計(jì)算仿真，得到金屬膜層粗糙度對(duì)光刻質(zhì)量的影響分析曲線，該影響分析曲線表征金屬膜層粗糙度對(duì)光刻質(zhì)量的影響結(jié)果；根據(jù)影響結(jié)果，降低金屬膜層表面的粗糙度和或在位于金屬?介質(zhì)單元上方的掩膜版和空氣之間設(shè)置金屬?介質(zhì)多層膜結(jié)構(gòu)，以優(yōu)化金屬?介質(zhì)單元的光刻質(zhì)量。本公開還提供了一種光刻質(zhì)量的優(yōu)化裝置、電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。

本發(fā)明授權(quán)光刻質(zhì)量的優(yōu)化方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光刻質(zhì)量的優(yōu)化方法，其特征在于，包括： 基于特征矩陣法與布洛赫定理，確定由金屬膜層表面粗糙度引入的波函數(shù)雜散項(xiàng)； 將所述波函數(shù)雜散項(xiàng)輸入至光刻質(zhì)量偏差數(shù)學(xué)模型中進(jìn)行計(jì)算仿真，得到所述金屬膜層表面粗糙度對(duì)光刻質(zhì)量的影響分析曲線，該影響分析曲線表征所述金屬膜層表面粗糙度對(duì)光刻質(zhì)量的影響結(jié)果； 根據(jù)所述影響結(jié)果，降低所述金屬膜層表面的粗糙度和或在位于金屬-介質(zhì)單元上方的掩膜版和空氣之間設(shè)置金屬-介質(zhì)多層膜結(jié)構(gòu)，以優(yōu)化所述金屬-介質(zhì)單元的光刻質(zhì)量。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。