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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安微電子技術(shù)研究所申請的專利一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113990808B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111258550.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/00；該發(fā)明授權(quán)一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)及其制備方法是由岳永豪;鄭曉瓊;梅志鵬;李寶霞設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-10-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)及其制備方法，能夠?qū)崿F(xiàn)切割膠帶與晶圓切割道結(jié)構(gòu)牢固貼附，改善晶圓切割質(zhì)量，提高Die成品率。一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)，包括多片Die，Die下表面的RDL布線層與切割道區(qū)域之間的厚度差形成U型切割道；所述U型切割道的中間設(shè)置一道橫梁。一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)制備方法，包括以下步驟：對晶圓上表面進行臨時鍵合，并對形成的臨時鍵合晶圓下表面減薄加工；在減薄的臨時鍵合晶圓下表面依次進行介質(zhì)層制備、TSV銅柱露銅和RDL布線層制備；在RDL布線層表面制備絕緣層，并在U型切割道的中間制備所述橫梁，完成包含所述橫梁的晶圓切割道結(jié)構(gòu)的制備。

本發(fā)明授權(quán)一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種雙面布線晶圓切割道結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 多片Die（4），Die（4）的上下表面均覆蓋有RDL布線層（6），Die（4）與Die（4）之間為切割道區(qū)域，其中，晶圓上下表面的切割道區(qū)域完全對準重合，Die（4）下表面的RDL布線層（6）與切割道區(qū)域之間的厚度差形成U型切割道（11）； 所述U型切割道（11）的中間設(shè)置一道橫梁（1）； 所述橫梁（1）的寬度為所述U型切割道（11）寬度的23，高度為所述U型切割道（11）深度的34； Die（4）下表面的RDL布線層（6）采用單層RDL布線層或多層RDL布線層； 制備所述橫梁（1）包括， 通過涂膠工藝在制備有RDL布線層（6）的晶圓下表面上制備絕緣層； 通過設(shè)定的光刻板對U型切割道（11）中間位置外漏的絕緣層進行曝光； 通過顯影工藝顯掉曝光過的絕緣層，留下掩蓋區(qū)域的絕緣層，形成所述橫梁（1）； 完成所述橫梁（1）的制備后，還包括， 在臨時鍵合晶圓下表面的RDL布線層（6）上制備UBM（8）； 在臨時鍵合晶圓下表面貼附切割膠帶（9）； 鍵合晶圓拆解分離； 對晶圓劃片，完成Die之間的切割分離。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西安微電子技術(shù)研究所，其通訊地址為：710065 陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路198號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。