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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115799165B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111057260.9，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種半導體器件及其制備方法是由張文文;黃仁瑞;方勇智設計研發完成，并于2021-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其制備方法，該方法包括：形成自下而上依次層疊的刻蝕終止層、第一介質層、輔助介質層及第二介質層；以光刻膠層為刻蝕阻擋層，圖形化第二介質層得到第一開口圖形，第一開口圖形的底部具有顯露部分輔助介質層的第二開口圖形；基于第一開口圖形形成貫穿第二介質層和輔助介質層并延伸至第一介質層的第一溝槽，基于第二開口圖形形成從第一溝槽底部貫穿第一介質層并延伸至刻蝕終止層的第二溝槽；在第一、第二溝槽中形成導電層。本發明僅通過一次涂膠顯影即可實現類大馬士革鑲嵌結構的制備，簡化了工藝流程，降低了生產成本，不需高昂的光刻設備支持，設備成本更低。且本發明具有廣泛的適用性，可以兼容多種半導體工藝。

本發明授權一種半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一基底，在所述基底上形成自下而上依次層疊的刻蝕終止層、第一介質層、輔助介質層及第二介質層； 以光刻膠層為刻蝕阻擋層，圖形化所述第二介質層，形成從所述第二介質層的上表面向下延伸的第一開口圖形，所述第一開口圖形的底部具有顯露部分所述輔助介質層的第二開口圖形，其中，所述光刻膠層具有光刻膠開口圖形，通過控制所述光刻膠開口圖形的側壁傾斜度來實現在所述第一開口圖形的底部形成具有顯露部分所述輔助介質層的第二開口圖形； 以所述光刻膠層和所述第一開口圖形的底部剩余的第二介質層為刻蝕阻擋層，基于所述第二開口圖形去除所述輔助介質層，以在所述第二開口圖形的底部露出所述第一介質層； 繼續以所述光刻膠層為刻蝕阻擋層，基于所述第一開口圖形和所述第二開口圖形，去除所述第一介質層和所述第二介質層，直至所述第一開口圖形的底部顯露出所述輔助介質層時停止； 去除所述第一開口圖形的底部的所述輔助介質層； 繼續以所述光刻膠層為刻蝕阻擋層，去除所述第一介質層，基于所述第一開口圖形形成貫穿所述第二介質層和所述輔助介質層并延伸至所述第一介質層的第一溝槽，基于所述第二開口圖形形成從所述第一溝槽底部貫穿所述第一介質層并延伸至所述刻蝕終止層的第二溝槽； 去除所述光刻膠層和所述第二溝槽底部的刻蝕終止層，在所述第一溝槽中和第二溝槽中形成導電層。

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