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龍圖騰網獲悉蘇州科沃微電子有限公司;上海理工大學申請的專利一種基于亞波長光柵的硅基偏振分束芯片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113126206B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110518045.8，技術領域涉及：G02B6/126；該發明授權一種基于亞波長光柵的硅基偏振分束芯片及其制造方法是由馮吉軍;劉海鵬設計研發完成，并于2021-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于亞波長光柵的硅基偏振分束芯片及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于亞波長光柵的硅基偏振分束芯片及其制造方法，其中，所述芯片包括：一硅基襯底；一設置在所述硅基襯底上的二氧化硅緩沖層；一設置在所述二氧化硅緩沖層上的基于硅波導的芯層，其包括：從左到右依次相連的一輸入直波導、一第一亞波長光柵結構和一正弦函數彎曲波導，以及從左到右依次相連的一第二亞波長光柵結構和一輸出直波導，其中，所述第二亞波長光柵結構與所述第一亞波長光柵結構平行設置并與該第一亞波長光柵結構的輸入端對齊；以及一設置在所述二氧化硅緩沖層上并包覆在所述芯層外的二氧化硅包層。本發明不僅實現了偏振分束功能，而且具有結構簡單緊湊、消光比高、帶寬大、工藝流程不繁瑣復雜等優異性能。

本發明授權一種基于亞波長光柵的硅基偏振分束芯片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基于亞波長光柵的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述芯片包括： 一硅基襯底； 一設置在所述硅基襯底上的二氧化硅緩沖層； 一設置在所述二氧化硅緩沖層上的基于硅波導的芯層，其包括：從左到右依次相連的一輸入直波導、一第一亞波長光柵結構和一正弦函數彎曲波導，以及從左到右依次相連的一第二亞波長光柵結構和一輸出直波導，其中，所述第二亞波長光柵結構與所述第一亞波長光柵結構平行設置并與該第一亞波長光柵結構的輸入端對齊；以及 一設置在所述二氧化硅緩沖層上并包覆在所述芯層外的二氧化硅包層； 其中，所述第一亞波長光柵結構和第二亞波長光柵結構的長度均為5～7μm，寬度均為0.45～0.5μm； 所述第一亞波長光柵結構的周期為0.3～0.4μm，占空比為0.5～0.7，該第一亞波長光柵結構的光柵數量為15～17； 所述第二亞波長光柵結構的周期為0.4～0.5μm，占空比為0.5～0.8，該第二亞波長光柵結構的光柵數量為12～14； 相互平行的所述第一亞波長光柵結構和第二亞波長光柵結構之間的間距為0.25～0.35μm； 所述正弦函數彎曲波導的長度為5～12μm，寬度為0.45～0.5μm，橫向偏移長度為3～5μm，彎曲半徑為7～10μm； 所述輸出直波導的長度為5～10μm，寬度為0.45～0.5μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州科沃微電子有限公司;上海理工大學，其通訊地址為：215431 江蘇省蘇州市太倉市瀏河鎮紫薇路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。