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龍圖騰網獲悉廣州集成電路技術研究院有限公司申請的專利一種半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115223924B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110427190.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種半導體器件是由王憲程設計研發完成，并于2021-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件，包括：基體，包括設置柵極結構和有源結構的襯底層；位于基體上方的第一介質層；聯接構件，所述聯接構件為一導電構件，所述聯接構件連續地直接貫穿所述第一介質層并連接所述柵極結構或和有源結構；金屬層，需要與所述金屬層連通的柵極結構或和有源結構經由所述聯接構件實現所述金屬層的連通；本發明大大減少錯位的問題，而且制備本發明器件的方法也可以減少大量光罩的使用，以及節省傳統方法中的中段制程，縮短了工藝流程，大大縮小生產周期。

本發明授權一種半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 基體，包括設置柵極結構和有源結構的襯底層，有源結構包括源極和漏極結構； 位于基體上方的第一介質層； 聯接構件，所述聯接構件為一導電構件，所述聯接構件連續地直接貫穿所述第一介質層并連接所述柵極結構或和有源結構； 金屬層，需要與所述金屬層連通的柵極結構或和有源結構經由所述聯接構件實現所述金屬層的連通； 聯接構件的徑向尺寸從下往上口徑逐漸增大，所述聯接構件的周壁傾斜，且所述聯接構件的周壁與基體水平面之間的角度為65°至90°； 所述聯接構件為沿所述第一介質層的深度方向堆疊的至少三層聯接結構，最底部的一層聯接結構與所述柵極結構和或有源結構抵接，最頂部的一層聯接結構與所述金屬層抵接，該至少三層聯接結構是在所述第一介質層形成后沿所述第一介質層深度方向開設的開口中分批次填充形成； 在形成聯接構件時，沿所述第一介質層深度方向開設的開口中分批次填充形成沿所述第一介質層的深度方向堆疊的至少三層聯接結構，所述的分批次填充具體包括： 非頂部聯接結構形成步驟：通過原子層沉積沿著開口的底部和側壁淀積形成具有凹槽的初設襯墊層，并在凹槽中填充虛設件；通過蝕刻初設襯墊層和虛設件至所需高度；去除虛設件露出凹槽，并在凹槽中填充金屬材料；蝕刻金屬材料至所需高度得到一層聯接結構；如果接下來要形成的非最頂部的聯接結構，則再次執行所述非頂部聯接結構形成步驟，否則執行如下的頂部聯接結構形成步驟：在設有聯接結構的開口中以及第一介質層的表面上，依次沉積襯墊層和聯接件的材料，在通過平坦化去除多余的材料，以暴露第一介質層的表面并在開口中形成最頂部的一層聯接結構； 所述第一介質層包括設置在基體上的下層間介質層和設置在所述下層間介質層上的上層間介質層，所述上層間介質層的材料K值低于所述下層間介質層的材料K值； 所述半導體器件還包括貫穿所述下層間介質層的接觸構件和貫穿所述上層間介質層的導通構件，部分需要與金屬層連通的柵極結構或和有源結構是通過對應的所述聯接構件連通到所述金屬層，部分需要與金屬層連通的柵極結構或和有源結構是通過所述接觸構件和導通構件連通到所述金屬層； 所述導通構件的側面與所述接觸構件的側面接觸。

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