杭州纖納光電科技有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州纖納光電科技有限公司申請的專利一種全平面結構的鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117253B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110291464.2，技術領域涉及：H10K30/50；該發明授權一種全平面結構的鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2021-03-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種全平面結構的鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種全平面結構的鈣鈦礦太陽能組件，包括基底、底電極層、鈣鈦礦吸光層和頂電極層，在該組件中還分別間隔設置多組相互平行的P1溝槽、P2溝槽和P3溝槽，P1溝槽切斷底電極層以露出基底，P2溝槽切斷頂電極層和鈣鈦礦吸光層以露出底電極層，P3溝槽切斷頂電極層以露出鈣鈦礦吸光層，在P1溝槽內填充滿P1絕緣惰性層，在P2溝槽內填充滿P2導電性層，在P3溝槽內填充滿P3絕緣惰性層。本發明還公開該組件的制備方法。本發明的組件各功能層具有全平面結構，有利于封裝膠膜與鈣鈦礦太陽能組件之間的緊密貼合排盡空氣，避免出現封裝時組件切槽處的膠膜難以鋪裝的問題。
本發明授權一種全平面結構的鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種全平面結構的鈣鈦礦太陽能組件，其結構從下至上依次包括基底、底電極層、鈣鈦礦吸光層和頂電極層，其特征在于，在所述鈣鈦礦太陽能組件中還分別間隔設置多組相互平行的P1溝槽、P2溝槽和P3溝槽，P1溝槽設置在底電極層上，P1溝槽切斷底電極層以露出基底，在P1溝槽內填充滿P1絕緣惰性層使其與底電極層的頂平面平齊，P2溝槽和P3溝槽分別設置在頂電極層上，P2溝槽切斷頂電極層和鈣鈦礦吸光層以露出底電極層，在P2溝槽內分層填充滿P2導電性層和P2導通層，P2導電性層位于P2導通層的上部，P2導通層與制備頂電極層的材料相同，位于P2溝槽上部的P2導電性層與頂電極層的頂平面平齊，P2導電性層與P2溝槽側壁的頂電極層電導通，P3溝槽切斷頂電極層以露出鈣鈦礦吸光層，在P3溝槽內填充滿P3絕緣惰性層使其與頂電極層的頂平面平齊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州纖納光電科技有限公司，其通訊地址為：311121 浙江省杭州市余杭區倉前街道龍潭路7號B幢209室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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