信越半導體株式會社大槻剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉信越半導體株式會社申請的專利半導體基板的干式蝕刻方法及硅氧化膜的干式蝕刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115485815B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180031524.5，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權半導體基板的干式蝕刻方法及硅氧化膜的干式蝕刻方法是由大槻剛;阿部達夫設計研發完成，并于2021-03-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體基板的干式蝕刻方法及硅氧化膜的干式蝕刻方法在說明書摘要公布了：本發明是一種半導體基板的干式蝕刻方法，其為具有氧化膜的半導體基板的干式蝕刻方法，其中，預先評價所述氧化膜的膜質，并基于該評價的結果確定進行所述干式蝕刻的時間。由此，提供以下的方法：在對半導體基板表面的氧化膜進行干式蝕刻時，可不受氧化膜的膜質差異影響，準確地控制氧化膜的蝕刻量，而抑制過度蝕刻或蝕刻不足。
本發明授權半導體基板的干式蝕刻方法及硅氧化膜的干式蝕刻方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體基板的干式蝕刻方法，其為具有氧化膜的半導體基板的干式蝕刻方法，其特征在于， 預先通過RBS盧瑟福反向散射分析的溝道模式評價所述氧化膜的膜質，該膜質包括構造、組成的差異，并基于該評價的結果確定進行所述干式蝕刻的時間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人信越半導體株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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